[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811032485.7
• 申請(qǐng)日: 2018-09-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110880507A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱夢(mèng)娜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/105
• 分類號(hào): H01L27/105
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有溝槽隔離結(jié)構(gòu)，并界定出多個(gè)有源區(qū)，所述有源區(qū)包括沿著第一方向延伸的第一延伸區(qū)和沿著第二方向延伸的第二延伸區(qū)，所述第一延伸區(qū)和所述第二延伸區(qū)的端部相互連接并構(gòu)成一連接區(qū)，并且在所述第一延伸區(qū)遠(yuǎn)離所述連接區(qū)的襯底中形成有第一摻雜區(qū)，以及在所述第二延伸區(qū)遠(yuǎn)離所述連接區(qū)的襯底中形成有第二摻雜區(qū)；

多條位線，形成在所述襯底中并沿著所述第一方向延伸，并且所述位線至少部分形成在所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，并在垂直于位線延伸方向上還從所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)中橫向擴(kuò)展至所述第二延伸區(qū)，以使所述位線與所述第二摻雜區(qū)電性連接；以及，

多條字線，形成在所述襯底上并沿著所述第二方向延伸，所述字線覆蓋所述有源區(qū)的所述連接區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)從襯底頂表面向襯底內(nèi)部延伸至所述襯底的第一深度位置，所述位線的頂部位于所述襯底第二深度位置，所述位線的底部位于所述襯底的第三深度位置，并且所述第一深度位置位于所述第二深度位置和所述第三深度位置之間，以使所述位線靠近頂部的部分與所述第二摻雜區(qū)電性連接，所述位線靠近底部的部分相對(duì)于所述第二摻雜區(qū)往遠(yuǎn)離所述襯底頂表面的方向延伸至更低的深度位置中。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一延伸區(qū)垂直于所述第二延伸區(qū)，以使所述有源區(qū)呈L型結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，所述襯底中形成有位線溝槽，所述位線溝槽至少部分形成在所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)中并沿著所述第一方向延伸，并且所述位線溝槽在垂直于第一方向上還從所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)中橫向擴(kuò)展至所述第二延伸區(qū)，以使所述第二摻雜區(qū)暴露于所述位線溝槽中；以及，所述位線填充在所述位線溝槽中，并與所述第二摻雜區(qū)電性連接。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線的頂部位置低于所述位線溝槽的頂部位置，以界定出一容置空間在所述位線溝槽中并位于所述位線的上方；

其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器還包括隔離層，所述隔離層填充在所述位線溝槽的所述容置空間中，以覆蓋所述位線。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述連接區(qū)的襯底表面以及覆蓋所述第二摻雜區(qū)的襯底表面；

其中，所述介質(zhì)層中覆蓋所述連接區(qū)的部分用于構(gòu)成柵極介質(zhì)層，所述字線中覆蓋所述連接區(qū)的部分形成在所述柵極介質(zhì)層上并用于構(gòu)成柵極導(dǎo)電層，以及所述介質(zhì)層中覆蓋所述第二摻雜區(qū)的部分用于構(gòu)成間隔絕緣層，用于隔離所述字線和所述第二摻雜區(qū)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，所述襯底上具有多個(gè)所述有源區(qū)，多個(gè)所述有源區(qū)沿著所述第一方向和所述第二方向呈陣列式排布；

其中，沿著所述第一方向排布在同一列上的多個(gè)有源區(qū)中的第二摻雜區(qū)連接至同一位線，以及沿著所述第二方向排布在同一行上的多個(gè)有源區(qū)中的連接區(qū)被同一字線覆蓋。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：

存儲(chǔ)電容器，形成在所述襯底的所述第一摻雜區(qū)上并與所述第一摻雜區(qū)電性連接。

9.如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列區(qū)和位于所述存儲(chǔ)陣列區(qū)外圍的周邊區(qū)，所述有源區(qū)位于所述存儲(chǔ)陣列區(qū)中，以及在所述周邊區(qū)中還形成有周邊晶體管，所述周邊晶體管的柵極導(dǎo)電層與所述位線位于同一結(jié)構(gòu)層中。