[發(fā)明專利]晶圓級芯片的封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811032114.9
• 申請日: 2018-09-05
• 公開（公告）號: CN109273406B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王玉;許紅權(quán);吳震;張強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州科陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種晶圓級芯片的封裝方法，其特征在于，包括：

步驟110、提供晶圓級芯片的封裝產(chǎn)品，所述晶圓級芯片的封裝產(chǎn)品包括基板，形成在所述基板上的第一絕緣層，形成在所述第一絕緣層上的有機(jī)粘合層，形成在所述有機(jī)粘合層上的晶圓，所述晶圓具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，所述晶圓的第二表面設(shè)置有絕緣薄膜；所述晶圓內(nèi)含多個(gè)芯片單元，每個(gè)所述芯片單元在所述第二表面的一側(cè)設(shè)置非焊盤區(qū)；在所述非焊盤區(qū)，在所述第二表面上的絕緣薄膜與所述有機(jī)粘合層直接接觸，所述有機(jī)粘合層用于粘合所述晶圓和所述第一絕緣層，所述第一絕緣層包括第一溝槽；

步驟120、在所述非焊盤區(qū)，在所述晶圓的第一表面形成抵達(dá)所述絕緣薄膜的第一通孔，露出所述絕緣薄膜；

步驟130、在所述非焊盤區(qū)，在所述第一通孔的表面形成第二絕緣層，覆蓋所述第一通孔、所述絕緣薄膜和所述第一表面；

步驟140、在所述非焊盤區(qū)，以所述第一通孔作為第一切割道，去除所述第一切割道內(nèi)的絕緣薄膜以及第二絕緣層，并減薄所述第一切割道內(nèi)的所述第一絕緣層以及所述第一溝槽內(nèi)的所述有機(jī)粘合層，所述第一溝槽在所述基板上的投影位于所述第一切割道在所述基板上的投影內(nèi)；

步驟150、在所述非焊盤區(qū)，沿所述第一切割道，切割至所述基板遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

減薄所述第一切割道內(nèi)的第一絕緣層之后，所述第一切割道內(nèi)的第一絕緣層的高度大于或等于15微米，且小于或等于20微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

每個(gè)所述芯片單元在所述第二表面的一側(cè)還設(shè)置焊盤區(qū)；在所述焊盤區(qū)，在所述第二表面的一側(cè)設(shè)置有若干金屬襯墊，在所述金屬襯墊與所述絕緣薄膜直接接觸；

所述步驟120還包括：

步驟1201、在所述焊盤區(qū)，在所述晶圓的第一表面形成抵達(dá)所述金屬襯墊的第二通孔，露出部分所述金屬襯墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，

所述步驟130還包括：

步驟1301、在所述焊盤區(qū)，在所述第二通孔的表面形成所述第二絕緣層，覆蓋所述第二通孔和所述第一表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

所述步驟140還包括：

步驟1401、在所述焊盤區(qū)，在所述第二絕緣層的表面形成抵達(dá)所述第一絕緣層的第三通孔，露出所述金屬襯墊。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

所述步驟150還包括：

步驟1501、在所述焊盤區(qū)，以所述第二通孔作為第二切割道，切割至所述基板遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，

在所述步驟1401之后還包括如下步驟：

步驟1402、在所述焊盤區(qū)，在所述第三通孔的表面形成金屬線路層，所述金屬線路層與所述金屬襯墊電連接，并延伸至所述第一表面；

步驟1403、在所述焊盤區(qū)，形成第三絕緣層，覆蓋所述金屬線路層、所述第三通孔以及所述第一表面；在所述非焊盤區(qū)，形成所述第三絕緣層；

步驟1404、在所述焊盤區(qū)，在所述第一表面上的所述第三絕緣層形成第四通孔，露出部分所述金屬線路層；

步驟1405、在所述金屬線路層上形成金屬連接球，與所述金屬線路層電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述步驟140中，去除所述第一切割道內(nèi)的第二絕緣層，并減薄所述切割道內(nèi)的有機(jī)粘合層用的刀具為金屬粘合劑與金剛石顆粒混配燒制而成的金屬刀片。