[發明專利]三維存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 201811031283.0
• 申請日: 2018-09-05
• 公開（公告）號: CN109244077B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 肖莉紅;胡斌
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器的制作方法，包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構包括虛擬階梯結構和堆疊結構，所述虛擬階梯結構包括多級臺階，每級所述臺階具有不同的高度，所述堆疊結構共形地形成于所述虛擬階梯結構上，所述堆疊結構包括交替堆疊的多個第一材料層和多個第二材料層；

去除至少部分堆疊結構而在所述多個第一材料層上形成暴露的接觸面；其中，去除至少部分堆疊結構之后，所述堆疊結構位于第N級所述臺階上的疊層數量和第N+1級所述臺階上的疊層數量不同，N為大于等于1的整數；

形成分別通過所述接觸面接觸所述多個第一材料層的多個導電觸點；

在所述堆疊結構上覆蓋絕緣層；

在所述絕緣層上形成分別貫穿至所述多個導電觸點的多個接觸部。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述虛擬階梯結構的高度沿遠離所述半導體結構的中心方向增加，且所述堆疊結構位于第N級所述臺階上的疊層數量大于第N+1級所述臺階上的疊層數量。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料層為偽柵極層或柵極層，所述第二材料層為介質層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述導電觸點與所述柵極層的材質相同。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸面為所述第一材料層的上表面，所述導電觸點的厚度為單層所述第二材料層的厚度。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸面為所述第一材料層被去除至少一部分厚度形成的內側面，所述導電觸點的厚度大于單層所述第二材料層的厚度。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述虛擬階梯結構的方法為削減刻蝕法。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除至少部分堆疊結構而在所述多個第一材料層上形成暴露的接觸面的步驟包括：

去除至少部分堆疊結構而暴露所述多個第二材料層的部分表面；以及

去除所述部分表面處的至少部分第二材料層而暴露所述第一材料層上的接觸面。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，去除至少部分堆疊結構而暴露所述多個第二材料層的部分表面的方法為削減刻蝕法，所述削減刻蝕的方向朝向所述半導體結構的中心方向。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，去除所述部分表面處的至少部分第二材料層而暴露所述第一材料層上的接觸面步驟包括：在暴露出來的所述第二材料層上覆蓋光刻膠以及對所述光刻膠進行干法刻蝕。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕是單層干法刻蝕。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成分別通過所述接觸面接觸所述多個第一材料層的多個導電觸點的步驟包括：在所述第一材料層上覆蓋導電觸點以及去除所述第二材料層上的導電觸點。

13.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成貫穿至所述導電觸點的接觸部之后還包括：當第一材料層是偽柵極層時，去除所述偽柵極層而在所述介質層之間形成間隙以及在所述間隙中形成柵極層。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述虛擬階梯結構下方形成外圍器件。