[發明專利]基于電容補償的數控衰減器在審
| 申請號： | 201811031215.4 | 申請日： | 2018-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN110011641A | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 王立平;鄭骎;劉利平;周甲武;郁發新 | 申請（專利權）人： | 浙江鋮昌科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H11/24 | 分類號： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 衰減器 電容補償 并聯 單片集成電路 晶體管開關 匹配傳輸線 數控衰減器 衰減器結構 優勢和應用 開關切換 衰減電阻 衰減特性 衰減狀態 直通狀態 電容 開路線 寄生 衰減 帶寬 占用 應用 | ||
【權利要求書】：
1.基于電容補償的數控衰減器，其特征在于，包括晶體管開關、電阻、電容和匹配傳輸線，晶體管開關的源極與電阻的一端、電容的一端連接，電阻和電容并聯，電阻的另一端接地；匹配傳輸線有兩段，其中一段匹配傳輸線的一端與衰減器的輸入端連接，另一段匹配傳輸線的一端與衰減器的輸出端連接，兩段匹配傳輸線的另一端與晶體管開關的漏極連接。
2. 根據權利要求 1 所述的基于電容補償的數控衰減器，其特征在于：晶體管開關包括基于三阱工藝的n型場效應的晶體管、第一電阻、第二電阻和第三電阻；第一電阻的一端與晶體管的襯底端連接，第一電阻的另一端接地；第二電阻的一端與晶體管的N阱端連接，第二電阻的另一端與電路的VCC連接；第三電阻的一端與晶體管的柵極連接，第三電阻的另一端與開關控制信號端連接。
3. 根據權利要求 2所述的基于電容補償的數控衰減器，其特征在于：開關控制信號端的高電平為1.5伏，低電平為0V，VCC為1.5伏。
4. 根據權利要求 1 所述的基于電容補償的數控衰減器，其特征在于：兩段匹配傳輸線的寬度和長度都相同。
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