[發明專利]含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體及其制備方法有效
| 申請號: | 201811029506.X | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN109192426B | 公開(公告)日: | 2020-03-10 |
| 發明(設計)人: | 付剛;黃治鋒;黃清芳;許德欽;牟維國;張斌洪;張志琦 | 申請(專利權)人: | 福建省長汀金龍稀土有限公司 |
| 主分類號: | H01F1/057 | 分類號: | H01F1/057;H01F41/02 |
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| 地址: | 366300 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 含有 tb hf fe 燒結 磁體 及其 制備 方法 | ||
1.一種含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體,所述R為稀土元素,并至少包括Nd,其特征在于:所述燒結磁體的表面區域和內部區域分布有包含芯部和外殼部的R2Fe14B型主相晶粒,所述外殼部的Tb含量高于所述芯部中的Tb含量,所述燒結磁體的結晶晶界中具有Hf含量為0.1wt%以上、3.0wt%以下的富Hf區域,所述富Hf區域在所述結晶晶界中呈均一分散的分布,并占所述燒結磁體的5.0vol%-11.0vol%;所述燒結磁體是通過主合金和輔合金混合制備而成,所述主合金和所述輔合金的質量比為(85-90):(10-15),所述Hf源自所述主合金,所述主合金包括0.03wt%-1.80wt%的Hf,所述Tb源自所述輔合金,所述輔合金包括8wt%-30wt%的Tb。
2.根據權利要求1所述的一種含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體,其特征在于:所述燒結磁體的氧含量為1000ppm以下。
3.根據權利要求1所述的一種含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體,其特征在于,所述主合金具有由組成式RaFecHfbBdXe表示的組成,所述輔合金具有由組成式TbfFegMh表示的組成:
R選自稀土元素的至少1種,所述R包括Nd;
X選自Co、Al、Cu、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S或P中的至少1種;
M選自Co、Al、Cu、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta或W中的至少1種;
a、b、c、d、e、f、g、h以重量百分比計,a為26-33,b為0.03-1.8,d為1-1.15,e為0-3,c為100-a-b-d-e,f為8-30,h為0-3,g為100-f-h。
4.根據權利要求3所述的一種含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體,其特征在于:所述b為0.08-1.0。
5.根據權利要求3所述的一種含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體,其特征在于:所述f為12-25。
6.一種含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體的制備方法,其特征在于,所述燒結磁體是通過主合金和輔合金混合燒結制備而成,所述主合金和所述輔合金的質量比為(85-90):(10-15),所述Hf源自所述主合金,所述主合金包括0.03wt%-1.80wt%的Hf,所述Tb源自所述輔合金,所述輔合金包括8wt%-30wt%的Tb,所述主合金具有由組成式RaFecHfbBdXe表示的組成,所述輔合金具有由組成式TbfFegMh表示的組成:
R選自稀土元素的至少1種,所述R包括Nd;
X選自Co、Al、Cu、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S或P中的至少1種;
M為選自Co、Al、Cu、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta或W中的至少1種;
a、b、c、d、e、f、g、h以重量百分比計,a為26-33,b為0.03-1.8,d為1-1.15,e為0-3,c為100-a-b-d-e,f為8-30,h為0-3,g為100-f-h,
并至少包括如下工序:
將所述主合金和所述輔合金的成分熔融液分別制備成速凝薄片的工序;將所述主合金速凝薄片和所述輔合金速凝薄片混合、吸氫破碎和微粉碎制成細粉的工序;用所述細粉磁場成形法或熱壓熱變形獲得成形體,并在真空或惰性氣體中以1000℃-1070℃的溫度對所述成形體進行燒結獲得。
7.根據權利要求6所述的一種含有Tb和Hf的R-Fe-B系燒結磁體的制備方法,其特征在于,所述燒結的加熱過程包括以下步驟,從350℃-400℃以6℃/min-9℃/min升溫到600℃-650℃進行預燒結的工序,和在1000℃-1070℃進行燒結的工序。
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