[發(fā)明專利]全光纖反射式硝酸根濃度和溫度同時測量裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811029317.2 | 申請日： | 2018-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN109163759B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張亞男;鄂思宇;趙勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 東北大學(xué) |
| 主分類號： | G01D21/02 | 分類號： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 大連理工大學(xué)專利中心 21200 | 代理人： | 陳玲玉;梅洪玉 |
| 地址： | 110819 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硝酸根 單模光纖 多模光纖 同時測量裝置 傳感單元 反射式 敏感膜 全光纖 金膜 光纖傳感技術(shù) 有效降低溫度 溫度敏感膜 光譜儀 長度位置 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定 濃度測量 制備工藝 全覆蓋 熔接端 上位機 級聯(lián) 熔接 同軸 軸向 光源 測量 | ||
1.全光纖反射式硝酸根濃度和溫度同時測量裝置，包括上位機、光譜儀、Y型光纖、傳感單元和光源，其特征在于，傳感單元經(jīng)Y型光纖分別與光源及光譜儀連接，光譜儀與上位機連接；所述傳感單元由多模光纖和單模光纖級聯(lián)而成，其中，多模光纖一端與Y型光纖相接，多模光纖另一端與單模光纖同軸熔接，單模光纖外表面及端面全覆蓋地鍍有金膜，外表面的金膜外鍍有硝酸根敏感膜；在硝酸根敏感膜外，從熔接端始沿單模光纖軸向到單模光纖一半長度位置止，鍍有溫度敏感膜；所述的硝酸根敏感膜采用碳納米管/銅納米粒子復(fù)合膜制作而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖反射式硝酸根濃度和溫度同時測量裝置，其特征在于，所述硝酸根敏感膜的制備流程為：首先將1wt％的聚醚酰亞胺和15mg多壁碳納米管加入到40mL～50mL甲醇中攪拌，將混合液超聲處理后靜置分層，隨后取下層沉淀溶于40mL～50mL甲醇后再進行超聲處理并攪拌均勻，接下來加入10mL的0.1mol/L的氯化銅溶液和10mL濃度為0.1mol/L硼氫化鈉溶液攪拌處理，最后將混合液進行離心后再加入3mL～5mL殼聚糖溶液進行超聲和攪拌處理得到用于制備碳納米管/銅納米粒子復(fù)合膜的溶液，再利用浸漬提拉法將其鍍在傳感器表面，每次浸漬時間為20min，并提拉三次，每次提拉后在90℃的條件下進行退火處理，每次退火處理的時間為30min，以使碳納米管/銅納米粒子復(fù)合膜牢固地涂敷在金膜外表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖反射式硝酸根濃度和溫度同時測量裝置，其特征在于，單模光纖長度為10mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖反射式硝酸根濃度和溫度同時測量裝置，其特征在于，金膜厚度為40nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光纖反射式硝酸根濃度和溫度同時測量裝置，其特征在于，溫度敏感膜為聚二甲基硅氧烷膜。
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