[發明專利]微通道與納米棒陣列的復合結構及其制備方法在審
| 申請號： | 201811028780.5 | 申請日： | 2018-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN109059592A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發明（設計）人： | 周文斌;胡學功;何雨 | 申請（專利權）人： | 中國科學院工程熱物理研究所 |
| 主分類號： | F28D15/04 | 分類號： | F28D15/04 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微通道結構 微通道 納米棒陣列 復合結構 納米棒陣列結構 毛細壓力 高滲透 制備 表面原位生成 微納米尺度 并列設置 毛細性能 納米結構 微米結構 協同效應 粗糙度 基板 | ||
1.一種微通道與納米棒陣列的復合結構，包括：
微通道結構，設置在基板上，用于提供高滲透率；以及
納米棒陣列結構，設置在所述微通道結構的表面，用于提高所述微通道結構的毛細壓力；
其中，所述微通道結構中的微通道包括N條，N條所述微通道并列設置，N≥1。
2.根據權利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復合結構，所述納米棒陣列結構中：納米棒的直徑介于5nm至900nm之間，所述納米棒的長度介于100nm至50μm之間。
3.根據權利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復合結構，所述微通道的橫截面為矩形、梯形、三角形或圓弧形。
4.根據權利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復合結構，其中：
所述微通道的寬度介于10μm至950μm之間；
所述微通道的深度介于10μm至2000μm之間；
兩相鄰所述微通道的間距介于20μm至2000μm之間。
5.根據權利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復合結構，所述基板的材料為鋁、鋁合金、銅、銅合金、半導體、陶瓷或氧化物中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的微通道與納米棒陣列的復合結構，所述納米棒陣列結構的材料為鋁、鋁化合物、銅、銅化合物、半導體、陶瓷或氧化物中的至少一種。
7.一種微通道與納米棒陣列的復合結構的制備方法，包括：
步驟A：在基板上生成微通道結構；
步驟B：在所述微通道結構的表面生成納米棒陣列結構，得到如上述權利要求1至6中任一項所述的微通道與納米棒陣列的復合結構。
8.根據權利要求7所述的微通道與納米棒陣列的復合結構的制備方法，所述步驟A中，所述微通道結構通過線切割、激光加工、劃片加工或化學刻蝕的方法在所述基板上生成。
9.根據權利要求7所述的微通道與納米棒陣列的復合結構的制備方法，在所述微通道結構的表面生成納米棒陣列結構之前，對所述微通道結構的表面進行清洗，去除油脂油污及雜質。
10.根據權利要求7所述的微通道與納米棒陣列的復合結構的制備方法，所述步驟B中，所述納米棒陣列結構通過表面氧化法、電化學法、物理氣相沉積法或化學氣相沉積法在所述微通道結構的表面生成。
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