[發明專利]存儲器及其形成方法

在審

• 申請號: 201811028192.1
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN110875318A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有隔離區以及由所述隔離區界定出的多個有源區，每個所述有源區具有至少一個第一源/漏區和至少一個第二源/漏區；以及

形成于所述襯底上并與多個所述第二源/漏區一一對應連接的多個存儲節點接觸，每個所述存儲節點接觸包括在對應于所述第二源/漏區的所述襯底表面沿遠離所述襯底表面的方向依次疊加的金屬硅化物接觸和導電材料層，所述多個存儲節點接觸之間相互隔離。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：

形成于所述襯底中的多條字線，每條所述字線與相應的所述有源區相交，并分隔所述第一源/漏區和所述第二源/漏區；以及

形成于所述襯底上的多條位線，每條所述位線與相應的所述有源區相交，以使相應的所述有源區中的所述第一源/漏區連接至所述位線。

3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，每個所述有源區包括一個所述第一源/漏區和分別位于所述第一源漏區兩側的兩個所述第二源/漏區，且每個所述有源區與兩條所述字線相交。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述金屬硅化物接觸的材質包括TiSi、CoSi和WSi中的一種或兩種以上的組合。

5.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述導電材料層的材質包括多晶硅，所述襯底為硅襯底。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器為動態隨機存取存儲器。

7.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有隔離區以及由所述隔離區界定出的多個有源區，并且在每個所述有源區中界定有用于形成第一源/漏區的第一區域和用于形成第二源/漏區的第二區域；

形成多條字線于所述襯底中，每條所述字線與相應的所述有源區相交并分隔所述第一區域和所述第二區域；

形成多條位線于所述襯底上，每條所述位線與相應的所述有源區相交，以使相應的所述有源區中的所述第一源/漏區連接至所述位線；

形成一隔離層于所述襯底上，所述隔離層覆蓋所述多條位線的頂表面和側表面，所述隔離層中開設有多個開口，每個所述開口中暴露出多個第二源/漏區，所述多個第二源/漏區之間通過所述隔離區相互間隔，所述襯底的對應于所述多個第二源/漏區的表面包含硅；

進行自對準金屬硅化物工藝，以形成多個金屬硅化物接觸于所述襯底的對應于所述多個第二源/漏區的表面，所述多個金屬硅化物接觸與所述多個第二源/漏區一一對應；

形成一導電材料層于所述襯底上，所述導電材料層覆蓋所述多個金屬硅化物接觸的頂表面并填充所述開口；以及

刻蝕所述導電材料層，以形成與所述多個第二源/漏區一一對應連接的多個存儲節點接觸，每個所述存儲節點接觸包括在對應于所述第二源/漏區的所述襯底表面沿遠離所述襯底表面的方向依次疊加的金屬硅化物接觸和部分剩余的導電材料層，所述多個存儲節點接觸之間相互隔離。

8.如權利要求7所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述自對準金屬硅化物工藝包括：

沉積一金屬層于所述襯底上，所述金屬層覆蓋所述隔離層的頂表面以及所述開口的內表面；

進行熱退火工藝，以使所述金屬層與所述襯底的對應于所述多個第二源/漏區的表面的硅反應形成所述多個金屬硅化物接觸；以及

去除未反應的所述金屬層。

9.如權利要求8所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述熱退火工藝的退火溫度范圍為400℃至700℃。

10.如權利要求7所述的存儲器的形成方法，其特征在于，刻蝕所述導電材料層以形成與所述多個第二源/漏區一一對應的多個存儲節點接觸的步驟包括：

形成一硬掩模層于所述襯底上，所述硬掩模層連續覆蓋于所述隔離層被暴露的頂表面和側表面以及所述導電材料層的頂表面；

刻蝕所述硬掩模層，以暴露對應于所述多個第二源/漏區之間間隔的部分所述導電材料層；以及

以剩余的所述硬掩模層為掩模，刻蝕所述導電材料層，以去除對應于所述多個第二源/漏區之間間隔的部分所述導電材料層。