[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201811027840.1
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN108987337B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 宮奎;劉天真;徐德智;段獻學;張志海;陳俊生
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，該制作方法去除了過孔中在刻蝕過程中形成的聚合物，從而避免了該聚合物對第一圖案和第二圖案的電性連通的不良影響。該制作方法包括：在襯底基板上方形成第一圖案；形成覆蓋第一圖案的絕緣層；在絕緣層上方形成保護圖案，保護圖案露出絕緣層上待形成過孔的部分；通過刻蝕氣體刻蝕絕緣層上的待形成過孔的部分，形成孔洞，孔洞的底部具有預設厚度的殘留膜層；其中，0≤預設厚度＜絕緣層的厚度；孔洞內形成有刻蝕氣體與絕緣層反應生成的聚合物；通過惰性氣體對孔洞進行刻蝕處理，以去除聚合物和殘留膜層，形成露出第一圖案的過孔。該陣列基板用于制作顯示裝置。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)可用作平板顯示器的像素開關元件。根據薄膜晶體管結構中的有源層所采用的不同材料，可將TFT分為：非晶硅TFT、多晶硅TFT、單晶硅TFT以及氧化物半導體TFT；其中，非晶硅TFT有源層可容易沉積在大的區域上且容易在低溫條件下加工，但是具有電荷遷移率低的缺點；多晶硅TFT有源層雖然電荷遷移高、具有優異的電特性，但是需要在高溫條件下加工且其可靠的一致性不穩定；氧化物半導體(例如IGZO，indium gallium zinc oxide，銦鎵鋅氧化物)TFT具有較高的載流子遷移率，能夠更好地滿足超大尺寸的液晶顯示器的驅動要求，并且，氧化物半導體TFT還具有組分均一、成本較低、透明率較高等特點，因此備受研發人員的關注。

現有技術中，對于氧化物半導體TFT陣列基板，由于制備氮化硅絕緣層時所采用的氣體中的H元素對氧化物溝道具有還原性，可導致氧空位增加而使氧化物有源層導體化，所以通常絕緣保護層選用二氧化硅薄膜，或者是二氧化硅和氮化硅復合薄膜。

為簡化工藝流程，通常采用干法刻蝕制作出貫穿絕緣保護層的過孔，過孔的底部為漏極的上表面。通常利用碳氟氣體(例如CF₄)和氧氣為刻蝕氣體刻蝕二氧化硅薄膜，在刻蝕過程中，二氧化硅材質的過孔內生長有大量的碳氟聚合物，碳氟聚合物形狀各異，且在后續過程中并不能輕易除去，這樣就會影響像素電極與漏極的電性連接，從而造成顯示器的顯示不良。

發明內容

為解決上述現有技術中的問題，本發明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。該制作方法去除了刻蝕過程中在過孔中形成的聚合物，從而避免了該聚合物對第一圖案和第二圖案的電性連通的不良影響。為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面、本發明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板的制作方法包括：在襯底基板上方形成第一圖案；形成覆蓋所述第一圖案的絕緣層；在所述絕緣層上方形成保護圖案，所述保護圖案露出所述絕緣層上待形成過孔的部分；通過刻蝕氣體刻蝕所述絕緣層上的所述待形成過孔的部分，形成孔洞，所述孔洞的底部具有預設厚度的殘留膜層；其中，0＜所述預設厚度＜所述絕緣層的厚度；所述孔洞內形成有所述刻蝕氣體與所述絕緣層反應生成的聚合物；通過惰性氣體對所述孔洞進行刻蝕處理，以去除所述聚合物和所述殘留膜層，形成露出所述第一圖案的所述過孔。

可選的，所述通過惰性氣體對所述孔洞進行刻蝕處理時，所述惰性氣體的轟擊能量大于所述刻蝕氣體的轟擊能量。

可選的，所述通過惰性氣體對所述孔洞進行刻蝕處理時，所述惰性氣體的轟擊能量大于所述刻蝕氣體的轟擊能量，包括：相比于通過刻蝕氣體刻蝕所述絕緣層上的所述待形成過孔的部分時，增加刻蝕設備的自偏壓。

可選的，所述惰性氣體包括Ar氣。