[發明專利]碳化硅MOS柵氧化層退火方法

在審

• 申請號: 201811027430.7
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109346404A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 吳明晃;廖奇泊;陳本昌
• 申請（專利權）人: 北京綠能芯創電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 李佳俊;郭國中

1.一種碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，包括柵極氧化物成長步驟、柵區晶硅形成步驟、源區形成步驟、P型形成步驟、介電層形成步驟以及防護層形成步驟。

2.根據權利要求1所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，所述P型形成步驟包括P層形成步驟；

在所述P層形成步驟中：

在N型外延層(10)上形成P層(9)，并構成P阱區。

3.根據權利要求1所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，所述P型形成步驟包括P層形成步驟；

在所述P層形成步驟中：

在N型外延層(10)上形成P層(9)。

4.根據權利要求1所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，所述防護層形成步驟包括金屬層形成步驟、保護層形成步驟；

在金屬層形成步驟中：

在連接層(3)、介電層(5)這兩者上形成金屬層(2)；

在保護層形成步驟中：

在所述金屬層(2)上形成保護層(1)；

在所述柵區晶硅形成步驟中：

在基底(11)背面形成背面金屬(12)；

在基底(11)上形成N型外延層(10)。

5.根據權利要求2所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，在所述柵極氧化物成長步驟中：

在P阱區、N型外延層(10)這兩者內形成柵極氧化層(8)；所述柵極氧化層(8)構成柵極溝槽；

在柵極溝槽內形成多晶柵層(7)；所述多晶柵層(7)構成多晶柵區；

在所述介電層形成步驟中：

在N型源極層(6)、多晶柵層(7)以及柵極氧化層(8)這三者上形成介電層(5)；

在N型源極層(6)、柵極氧化層(8)以及P層(9)這三者的側部形成連接層(3)。

6.根據權利要求3所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，在所述柵極氧化物成長步驟中：

在N型源極層(6)、P層(9)以及N型外延層(10)這三者上形成柵極氧化層(8)；

在所述柵極氧化層(8)上形成多晶柵層(7)；所述多晶柵層(7)構成多晶柵區；

在所述介電層形成步驟中：

在多晶柵層(7)周圍形成介電層(5)；

在介電層(5)側部形成連接層(3)。

7.根據權利要求5所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，所述P型形成步驟，還包括P型離子層形成步驟；

在所述P型離子層形成步驟中：

在P層(9)上形成P型離子層(4)。

8.根據權利要求6所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，所述P型形成步驟，還包括P型離子層形成步驟；

在所述P型離子層形成步驟中：

在P層(9)上形成P型離子層(4)。

9.根據權利要求7所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，在所述源區形成步驟中：

在P層(9)上形成N型源極層(6)；所述N型源極層(6)構成N型源極區。

10.根據權利要求8所述的碳化硅MOS柵氧化層退火方法，其特征在于，在所述源區形成步驟中：

在P型離子層(4)上形成N型源極層(6)；所述N型源極層(6)構成N型源極區。