[發(fā)明專利]降低封裝基板翹曲的方法及半成品結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811026567.0
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109786269A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡宜興
• 申請（專利權(quán)）人: 蔡宜興
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 董科

本發(fā)明揭示一種降低封裝基板翹曲的方法及半成品結(jié)構(gòu)，其中所述降低封裝基板翹曲的方法包含一備置步驟、一封裝步驟及一激光切割步驟。藉由在所述激光切割步驟中的一激光裝置在封裝基板的絕緣封膠層切割有第一切槽，使所述封裝基板的應力被破壞，因而降低所述封裝基板的翹曲現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種方法及半成品結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種降低封裝基板翹曲的方法及半成品結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

電子產(chǎn)品朝向輕薄短小的趨勢發(fā)展，電子構(gòu)裝也朝相同趨勢發(fā)展，用于承載芯片的封裝基板也越來越薄，受到各半導體組件中材料性質(zhì)的熱膨脹系數(shù)差異，將衍生造成封裝翹曲(Warpage)及應力(Stress)的問題，這些都將會影響半導體封裝的良率。在半導體封裝制程中必然會有熱處理的步驟，尤其是薄型電子封裝構(gòu)造厚度較薄的封裝基板是多個一體成形于一封裝基板條，因為剛性較弱，所以在制造時更容易在溫度變化影響的下產(chǎn)生應力而造成封裝基板條翹曲變形，更可能造成電子組件的破壞與后續(xù)處理的操作困難。進一步來說，在進行封裝基板線路布局時，通常無法保持平均的布線密度，有的區(qū)域金屬分布線路密集，有的地方則線路很稀疏。在封裝過程中，如此的區(qū)域性線路密度的偏差情況以及基板與封膠的材質(zhì)本身具有不同的熱膨脹系數(shù)，因此在加熱過后(例如烘烤干燥、樹脂固化、涂膠固定芯片、打線或封膠注模)，會導致封裝基板容易發(fā)生變形翹曲(warpage)，導致后續(xù)無法準確的將封裝膠體將裝基板條半成品切割單離成多個單一封裝構(gòu)造，從而造成良率下降。因此，目前的封裝業(yè)者對于封裝基板抗翹曲的要求也越來越高。

因此，有必要提供一種改良的降低封裝基板翹曲的方法及半成品結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種降低封裝基板翹曲的方法及半成品結(jié)構(gòu)，將所述半成品結(jié)構(gòu)的封裝基板上的絕緣封膠層切割有第一切槽，使所述封裝基板的應力被破壞，因而降低所述封裝基板的翹曲現(xiàn)象。

為達上述的目的，本發(fā)明提供一種降低封裝基板翹曲的方法，包含一備置步驟、一封裝步驟及一激光切割步驟；其中所述備置步驟是提供一封裝基板，所述封裝基板具有一封裝表面，其中所述封裝表面形成有多個預切割道及多個置晶區(qū)，所述預切割道彼此交錯排列，所述置晶區(qū)分別位于所述預切割道之間；所述封裝步驟是將多個芯片分別設(shè)置在所述置晶區(qū)，并形成一封裝膠體包覆所述芯片，使所述封裝表面形成一絕緣封膠層；所述激光切割步驟是對所述絕緣封膠層進行切割劃線，而形成有至少三條第一切槽。

在本發(fā)明的一實施例中，在所述備置步驟中，所述封裝基板的相對的一第一側(cè)及一第二側(cè)形成有多個第一定位圓孔，所述第一切槽分別對應所述第一定位圓孔排列。

在本發(fā)明的一實施例中，在所述封裝步驟之后及在所述激光切割步驟之前另包含一定位步驟，以利用一攝影機拍攝所述第一定位圓孔的位置并進行所述封裝基板的定位。

在本發(fā)明的一實施例中，在所述定位步驟中，當所述封裝基板的定位完成時，透過一處理器加載所述芯片的位置參數(shù)，用以作為所述激光切割步驟中對所述絕緣封膠層進行切割劃線的基準。

在本發(fā)明的一實施例中，在所述激光切割步驟之前及所述定位步驟之后另包含一基板整平步驟，以利用多個吸嘴吸引所述封裝基板的封裝表面或一下表面，使所述封裝基板保持在一整平狀態(tài)。

在本發(fā)明的一實施例中，在所述激光切割步驟之后另包含一清潔步驟，利用一吸塵裝置對所述第一切槽進行清潔。

為達上述的目的，本發(fā)明提供一種降低封裝基板翹曲的半成品結(jié)構(gòu)，包含一封裝基板、多個第一定位圓孔及一絕緣封膠層；其中所述封裝基板具有一封裝表面，其中所述封裝表面形成有多個預切割道及多個置晶區(qū)，所述預切割道彼此交錯排列，所述置晶區(qū)分別位于所述預切割道之間；所述第一定位圓孔形成在所述封裝基板的相對的一第一側(cè)及一第二側(cè)，其中位于所述封裝基板的第一側(cè)及第二側(cè)的第一定位圓孔彼此相對應；所述絕緣封膠層形成在所述封裝基板的封裝表面上，其中所述絕緣封膠層形成有至少三條第一切槽，分別對應所述第一定位圓孔排列。