[發明專利]一種提高腐蝕機混酸換液效率的方法及裝置在審
| 申請號: | 201811026559.6 | 申請日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN109148338A | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 劉玉龍;賀賢漢;朱強健 | 申請(專利權)人: | 杭州中芯晶圓半導體股份有限公司;上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責任公司 31203 | 代理人: | 顧蘭芳 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市蕭山區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混酸 腐蝕機 醋酸 硝酸 儲備槽 氫氟酸 質量分數 換液 濃度調節 | ||
1.一種提高腐蝕機混酸換液效率的方法,其特征在于,包括:
步驟一,在儲備槽A加入室溫下的混酸280L-350L;
步驟二,通過添加氫氟酸15L-30L、硝酸60L-90L、醋酸30L-60L,對儲備槽A中的混酸進行濃度調節,將混酸的質量分數調到氫氟酸5%-8%、硝酸30%-50%、醋酸10%-30%;
步驟三,將腐蝕機中質量分數為氫氟酸5%-8%、硝酸30%-50%、醋酸10%-30%的混酸280L-350L注入混酸儲備槽B;
步驟四,將調節好濃度的混酸注入腐蝕機。
2.根據權利要求1所述的一種提高腐蝕機混酸換液效率的方法,其特征在于:所述步驟一中儲備槽內加入室溫下的混酸300L。
3.根據權利要求1所述的一種提高腐蝕機混酸換液效率的方法,其特征在于:所述步驟二中添加氫氟酸20L、硝酸80L、醋酸50L。
4.根據權利要求1所述的一種提高腐蝕機混酸換液效率的方法,其特征在于:所述步驟二中對儲備槽A中的混酸進行濃度調節,將混酸的質量分數調到氫氟酸6.5%、硝酸35%、醋酸20%。
5.根據權利要求1所述的一種提高腐蝕機混酸換液效率的方法,其特征在于:所述步驟三中,將腐蝕機中質量分數為氫氟酸5%、硝酸30%、醋酸10%的混酸300L注入混酸儲備槽B。
6.作為一種方案,一種提高腐蝕機混酸換液效率的方法,其特征在于:包括:
步驟一,在儲備槽A加入室溫下的混酸300L;
步驟二,通過添加氫氟酸20L、硝酸80L、醋酸50L,對儲備槽A中的混酸進行濃度調節,將混酸的質量分數調到氫氟酸6.5%、硝酸35%、醋酸20%;
步驟三,將腐蝕機中質量分數為氫氟酸5%、硝酸30%、醋酸10%的混酸300L注入混酸儲備槽B;
步驟四,將調節好濃度的混酸注入腐蝕機。
7.一種提高腐蝕機混酸換液效率的裝置,其特征在于:包括一腐蝕機,所述腐蝕機連接一混酸回收裝置,所述混酸回收裝置包括一儲備柜和一控制器,所述控制器分別控制連接所述腐蝕機和所述儲備柜,所述控制器還連接一藥液供給系統;
所述儲備柜中設有兩個用于存儲混酸溶液的儲備槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





