[發明專利]一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法

有效

• 申請號: 201811025781.4
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109143459B
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 李納;徐軍;王慶國;吳鋒;羅平;唐慧麗
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02
• 代理公司: 31225 上海科盛知識產權代理有限公司
• 代理人: 蔣亮珠

1.一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法，其特征在于，包括以下步驟：

S01，用微下拉得到稀土離子摻雜的低溫石榴石晶體光纖；

S02，訂做特定尺寸的Pt管和Pt絲；

S03，將步驟1得到的晶體光纖插入步驟2得到的Pt管中，并用Pt絲固定；

S04，將融制的玻璃溶液澆筑于步驟3的Pt管中，加工即得所需尺寸玻璃包層的稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒；

步驟S04所述的玻璃溶液的配料為Bi₂O₃和Ge/SiO₂的摩爾濃度比為2：3，且其融制溫度為1100-1200℃。

2.根據權利要求1所述的一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法，其特征在于，步驟S01的摻雜離子為稀土離子，主要包括：Nd³⁺、Yb³⁺或Tm³⁺，低溫石榴石為CNGG或CLNGG。

3.根據權利要求1所述的一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法，其特征在于，步驟S01微下拉的拉速為0.3-0.5mm/min，得到的晶體光纖直徑為1.9-2.1mm，長度為50-60mm。

4.根據權利要求1所述的一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法，其特征在于，步驟S02 Pt管的內徑為2.8mm，外徑為3.8mm，長度為68-72mm；Pt絲的直徑為0.35-0.45mm。

5.根據權利要求1所述的一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法，其特征在于，步驟S03將晶體光纖插入Pt管中的位置為Pt管的中心；四根Pt絲均勻分布在晶體光纖的周圍，固定其在Pt管中的位置。

6.根據權利要求1所述的一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法，其特征在于，步驟S04澆筑的具體實施方法為：在Pt管外套一層或多層高度和直徑依次增加的石英坩堝，把Pt漏斗放置于堆積的石英坩堝凹槽中，并將玻璃熔液倒入Pt漏斗內，使溶液正好從漏斗口流入Pt管中，并在CNGG或CLNGG周圍冷卻，得到包層光纖。

7.根據權利要求6所述的一種稀土離子摻雜的低溫石榴石晶棒的包層方法，其特征在于，所述的Pt漏斗的小孔直徑為2.8mm。