[發(fā)明專利]一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811025612.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108914080B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許小紅;秦秀芳;睢彩云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山西師范大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 周淑歌 |
| 地址: | 041004*** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 具有 室溫 交換 偏置 效應(yīng) 合金 薄膜 方法 | ||
1.一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,包括如下步驟:
磁控濺射鍍膜步驟:用高純度工作氣體同時(shí)轟擊高純度錳靶和鉍靶,在基片上共沉積錳鉍;
退火步驟:將磁控濺射鍍膜后的基片進(jìn)行退火,得到錳鉍合金薄膜;其中,錳的濺射功率為28-40W。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述磁控濺射鍍膜步驟中,本底真空為4.0×10-5-9.9×10-5Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述磁控濺射鍍膜步驟中,濺射壓強(qiáng)為1.0-2.9Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述磁控濺射鍍膜步驟中,鉍的濺射功率為8-12W。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述磁控濺射鍍膜步驟中,濺射時(shí)間為1200-3600s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述磁控濺射鍍膜步驟中,錳靶基距為4-6cm,鉍靶基距為4-6cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述退火步驟中,退火本底真空為1×10-4-2×10-4Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述退火步驟中,退火溫度為360-390℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述退火步驟中,退火時(shí)間為2-4h。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種制備具有室溫交換偏置效應(yīng)錳鉍合金薄膜的方法,其特征在于,所述退火步驟中,升溫速率為2-4℃/min,降溫速率為1-3℃/min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山西師范大學(xué),未經(jīng)山西師范大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811025612.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





