[發明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811024862.2
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109473437A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 嚴太镕;任智蕓;樸柄善;林炫錫;姜有善;權赫鎬;樸星津;徐枝延;河東協
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

提供非易失性存儲器件以及制造該非易失性存儲器件的方法。非易失性存儲器件可以包括：堆疊結構，包括以交替的順序堆疊在襯底上的多個導電膜和多個層間絕緣膜；以及延伸穿過該堆疊結構的垂直溝道結構。所述多個導電膜可以包括所述多個導電膜當中的最靠近襯底的選擇線。選擇線可以包括順序地堆疊在襯底上的下部和上部，并且選擇線的上部的一側和選擇線的下部的一側可以具有不同的輪廓。

技術領域

本公開總地涉及電子領域，更具體地，涉及一種非易失性存儲器件及其制造方法。

背景技術

存儲器件可以被分類為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件在沒有提供電源時不能保持數據，非易失性存儲器件即使在沒有提供電源時也能夠保持數據。

為了提高非易失性存儲器件(具體地，閃存器件)的集成度，已經提出了三維存儲元件。三維半導體存儲元件可以包括垂直堆疊的存儲單元和垂直溝道。

發明內容

根據本發明構思的一些實施方式，一種非易失性存儲器件可以包括：堆疊結構，包括以交替的順序堆疊在襯底上的多個導電膜和多個層間絕緣膜；以及垂直溝道結構，延伸穿過堆疊結構。所述多個導電膜可以包括所述多個導電膜中的最靠近襯底的選擇線。選擇線可以包括順序地堆疊在襯底上的下部和上部，并且選擇線的上部的一側和選擇線的下部的一側可以具有不同的輪廓。

根據本發明構思的一些實施方式，制造非易失性存儲器件的方法可以包括：在襯底上順序地形成下絕緣膜和蝕刻停止膜以及在蝕刻停止膜上形成模結構。模結構可以包括以交替的順序堆疊的多個犧牲膜和多個層間絕緣膜。所述方法還可以包括：形成延伸穿過模結構的溝槽以暴露蝕刻停止膜；依次蝕刻該蝕刻停止膜和下絕緣膜以形成溝道孔；在溝道孔中形成溝道結構；同時去除所述多個犧牲膜和蝕刻停止膜以形成多個開口；以及分別在所述多個開口中形成多個導電膜。溝道孔可以暴露襯底的上表面。

根據本發明構思的一些實施方式，非易失性存儲器件可以包括：堆疊結構，包括以交替的順序堆疊在襯底上的多個導電膜和多個層間絕緣膜；以及垂直溝道結構，延伸穿過堆疊結構。所述多個導電膜可以包括所述多個導電膜中的最靠近襯底的第一導電膜。第一導電膜可以包括順序地堆疊在襯底上的下部和上部，并且第一導電膜的上部的一側可以具有與第一導電膜的下部的一側的輪廓不同的輪廓。

根據本發明構思的一些實施方式，制造非易失性存儲器件的方法可以包括：在襯底上順序地形成下絕緣膜和蝕刻停止膜；以及在蝕刻停止膜上形成模結構。模結構可以包括以交替的順序堆疊的多個犧牲膜和多個層間絕緣膜。所述方法還可以包括：形成延伸穿過模結構的溝槽以暴露蝕刻停止膜；形成在溝槽的內側壁上和在蝕刻停止膜上延伸的電介質膜；依次蝕刻電介質膜的在蝕刻停止膜上的部分、蝕刻停止膜和下絕緣膜以形成溝道孔；在溝道孔中形成電介質材料；同時去除所述多個犧牲膜和蝕刻停止膜以形成多個開口；以及分別在所述多個開口中形成多個導電膜。溝道孔可以暴露襯底的上表面。

根據本發明構思的一些實施方式，制造非易失性存儲器件的方法可以包括：形成疊層，該疊層包括以交替的順序堆疊在襯底上的多條柵線和多個絕緣層。所述多條柵線可以包括所述多條柵線當中的最靠近襯底的最下面的柵線。最下面的柵線可以包括順序地堆疊在襯底上的下部和上部，最下面的柵線的下部的一側相對于襯底的上表面具有第一角度，并且最下面的柵線的上部的一側相對于襯底的上表面具有第二角度，并且第一角度大于第二角度。

附圖說明

圖1是根據本發明構思的一些實施方式的非易失性存儲器件的截面圖。

圖2是根據本發明構思的一些實施方式的圖1的部分A的放大圖。

圖3是根據本發明構思的一些實施方式的圖1的部分A的放大圖。

圖4是根據本發明構思的一些實施方式的非易失性存儲器件的截面圖。

圖5是圖4的部分A的放大圖。