[發明專利]一種測量注入層光刻對準偏差的方法

在審

• 申請號: 201811024232.5
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109192674A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市南碩明泰科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/12
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種測量注入層光刻對準偏差的方法，其特征在于，包括：

獲得當第一離子注入區與第二離子注入區處于完全對準狀態時的最大擊穿電壓；

將第一金屬接地，第二金屬進行正電壓掃描，其中所述第一金屬與所述第一離子注入區連接且所述第二金屬與所述第二離子注入區連接，或所述第一金屬與所述第二離子注入區連接且所述第二金屬與所述第一離子注入區連接；

將測試電流為1mA時的電壓記錄為測試擊穿電壓；

計算注入層光刻對準偏差，其中注入層光刻對準偏差＝100％*(最大擊穿電壓-測試擊穿電壓)/最大擊穿電壓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，獲得當所述第一離子注入區與所述第二離子注入區處于完全對準狀態時的最大擊穿電壓具體包括：

通過收集多批產品的擊穿電壓，選擇多批產品的擊穿電壓中電壓值最大的為最大擊穿電壓。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區及所述第二離子注入區導電類型相同時，所述第一金屬或所述第二金屬接地。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區及所述第二離子注入區導電類型相反時，若所述第一離子注入區的導電類型為P型，則與所述第一離子注入區連接的所述第一金屬或所述第二金屬接地。

5.根據權利要求1所述方法，其特征在于，將第一金屬接地，第二金屬進行正電壓掃描具體包括：

所述第一金屬的電壓保持為0V，所述第二金屬初始加0V電壓，然后逐漸增大第二金屬的電壓，每增大一次電壓讀取一次測試電流值。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區內設置有第一接觸孔，所述第二離子注入區內設置有第二接觸孔，所述第一金屬和所述第二金屬分別填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區和所述第二離子注入區的導電類型相同時，所述第一離子注入區和所述第二離子注入區的導電類型與有源區的導電類型相反。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區和所述第二離子注入區的導電類型相反時，所述第一離子注入區或所述第二離子注入區的導電類型與所述有源區的導電類型相同。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入區和所述第二離子注入區的間隔距離大致為0.5um。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述有源區為高阻阱區。