[發(fā)明專利]發(fā)光晶閘管、發(fā)光晶閘管陣列、曝光頭和圖像形成設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811023086.4
• 申請(qǐng)日: 2018-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109473510B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 內(nèi)田武志;須賀貴子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/08;H01L33/30
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種發(fā)光晶閘管，其特征在于，包括堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體基板上依次包含第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一半導(dǎo)體層、與第一導(dǎo)電類(lèi)型不同的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二半導(dǎo)體層、至少一部分是第一導(dǎo)電類(lèi)型的第三半導(dǎo)體層、以及第二導(dǎo)電類(lèi)型的第四半導(dǎo)體層，

其中，第三半導(dǎo)體層包含多個(gè)半導(dǎo)體層，并且從半導(dǎo)體基板側(cè)起依次至少包含與第二半導(dǎo)體層接觸的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第五半導(dǎo)體層和包含第一導(dǎo)電類(lèi)型或i型的第六半導(dǎo)體層，

其中，第六半導(dǎo)體層是形成堆疊結(jié)構(gòu)的所有層中的具有最小帶隙的層，以及

其中，第五半導(dǎo)體層的帶隙與第六半導(dǎo)體層的帶隙之間的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光晶閘管，其中，第二半導(dǎo)體層與第六半導(dǎo)體層之間的距離d大于在斷狀態(tài)中的發(fā)光晶閘管的第一半導(dǎo)體層與第四半導(dǎo)體層之間施加發(fā)光晶閘管的驅(qū)動(dòng)電壓的狀態(tài)下在第二半導(dǎo)體層與第三半導(dǎo)體層之間的界面處出現(xiàn)的耗盡層的在第三半導(dǎo)體層內(nèi)出現(xiàn)的部分的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，在第一半導(dǎo)體層與第四半導(dǎo)體層之間施加的驅(qū)動(dòng)電壓小于或等于2.5V。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，第二半導(dǎo)體層與第六半導(dǎo)體層之間的距離d大于或等于70nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，第二半導(dǎo)體層與第六半導(dǎo)體層之間的距離d小于或等于200nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，還在第六半導(dǎo)體層與第四半導(dǎo)體層之間包括第一導(dǎo)電類(lèi)型的第七半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，第六半導(dǎo)體層的中心位于比第三半導(dǎo)體層的中心更接近第四半導(dǎo)體層的位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，第一導(dǎo)電類(lèi)型是n型，并且，第二導(dǎo)電類(lèi)型是p型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，第一導(dǎo)電類(lèi)型是p型，并且，第二導(dǎo)電類(lèi)型是n型。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，第六半導(dǎo)體層形成多量子阱結(jié)構(gòu)的阱層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，第二半導(dǎo)體層和第三半導(dǎo)體層包含基于AlGaAs的材料。

12.一種發(fā)光晶閘管陣列，其特征在于，包括多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的發(fā)光晶閘管，

其中，該多個(gè)發(fā)光晶閘管是一維排列的。

13.一種圖像形成設(shè)備，其特征在于，包括：

圖像載體；

帶電單元，被配置為使圖像載體的表面帶電；

曝光頭，被配置為曝光通過(guò)帶電單元帶電的圖像載體的表面并且在圖像載體的表面上形成靜電潛像；

顯影單元，被配置為顯影通過(guò)曝光頭形成的靜電潛像；和

轉(zhuǎn)印單元，被配置為在記錄介質(zhì)上轉(zhuǎn)印通過(guò)顯影單元顯影的圖像，

其中，曝光頭具有根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光晶閘管陣列。

14.一種發(fā)光晶閘管，其特征在于，包括堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)在第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體基板上依次包含第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一半導(dǎo)體層、至少一部分是與第一導(dǎo)電類(lèi)型不同的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電類(lèi)型的第三半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類(lèi)型的第四半導(dǎo)體層，

其中，第二半導(dǎo)體層包含多個(gè)半導(dǎo)體層，并且從半導(dǎo)體基板的相對(duì)側(cè)起依次至少包含與第三半導(dǎo)體層接觸的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第五半導(dǎo)體層以及包含第二導(dǎo)電類(lèi)型或i型的第六半導(dǎo)體層，

其中，第六半導(dǎo)體層是形成堆疊結(jié)構(gòu)的所有層中的具有最小帶隙的層，以及

其中，第五半導(dǎo)體層的帶隙與第六半導(dǎo)體層的帶隙之間的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。