[發(fā)明專利]一種提升氮化鎵基LED發(fā)光二極管抗靜電能力的外延片及生長方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811022390.7
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN109103310A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設計）人: 溫榮吉;蘆玲;祝光輝;陳明
• 申請（專利權）人: 淮安澳洋順昌光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 溫福雪

1.一種提升氮化鎵基LED發(fā)光二極管抗靜電能力的外延片，其特征在于，該外延片結構從下向上的順序依次為藍寶石圖形化AlN襯底；未摻雜的低溫氮化鎵緩沖層；未摻雜的高溫氮化鎵層；摻SiH₄的N型氮化鎵導電層；有源發(fā)光層為周期性結構的InGaN/GaN量子阱壘區(qū)，其中量子壘層采用調制摻雜的GaN/AlGaN超晶格結構；低溫摻Mg的P型氮化鋁鎵電子阻擋層；摻Mg的P型氮化鎵導電層；摻Mg的P型接觸層；

所述的有源發(fā)光層由InGaN量子阱與GaN量子壘結構交替組成，量子壘層采用調制摻雜的GaN/AlGaN超晶格結構；

所述的未摻雜的低溫氮化鎵緩沖層的厚度為20nm～40nm；

所述的未摻雜的高溫氮化鎵的厚度為1500nm～3000nm；

所述的摻SiH₄的N型氮化鎵導電層的厚度為2500nm～4000nm；

所述的有源發(fā)光層的厚度為90nm～400nm；其中量子阱壘區(qū)中InGaN量子阱的單元厚度為2nm～5nm；其中量子阱壘區(qū)中GaN量子壘的單元厚度為9nm～20nm，構成量子壘的超晶格結構中GaN的厚度為1nm～4nm，超晶格結構中調制摻雜的AlGaN的厚度為1nm～4nm；

所述的低溫摻Mg的P型氮化鋁鎵電子阻擋層的厚度為10nm～50nm；

所述的摻Mg的P型氮化鎵導電層的厚度為20nm～80nm；

所述的摻Mg的P型接觸層的厚度為5nm～20nm。

2.根據權利要求1所述的提升氮化鎵基LED發(fā)光二極管抗靜電能力的外延片，其特征在于，

所述的未摻雜的低溫氮化鎵緩沖層的厚度為25nm～30nm；

所述的未摻雜的高溫氮化鎵的厚度為1800nm～2500nm；

所述的摻SiH₄的N型氮化鎵導電層的厚度為2800nm～3000nm；

所述的有源發(fā)光層的厚度為200nm～300nm；其中量子阱壘區(qū)中InGaN量子阱的單元厚度為3nm～4nm；其中量子阱壘區(qū)中GaN量子壘的單元厚度為12nm～16nm，其中構成量子壘的超晶格結構中GaN的厚度為1.5nm～3nm，超晶格結構中調制摻雜的AlGaN的厚度為1.5nm～3nm；

所述的低溫摻Mg的P型氮化鋁鎵電子阻擋層的厚度為15nm～30nm；

所述的摻Mg的P型氮化鎵導電層的厚度為40nm～60nm；

所述的摻Mg的P型接觸層的厚度為10nm～15nm。