[發(fā)明專利]一種外延層接長方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811022366.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN109390438B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雷城;展望;蘆玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L21/67
• 代理公司: 遼寧鴻文知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 21102
• 代理人: 楊植

1.一種外延層接長方法，其特征在于，步驟如下：

S1、將MQW層生長中斷或MQW層之后生長中斷的外延片在N₂、H₂和NH₃的混合氛圍中，其中，各氣體流量不大于200L/min，N₂、H₂和NH₃三者的氣體流量比例如下：N₂占比范圍10%~30%之間，H₂占比范圍30%~50%之間，NH₃占比范圍25%~45%之間；升溫至1100℃~1200℃之間，升溫時(shí)間在4~20分鐘之間；維持1100℃~1200℃高溫條件，MQW層生長中斷或MQW層之后生長中斷的外延片進(jìn)行高溫處理，MQW層或MQW層之后生長中斷的外延片發(fā)生解附效應(yīng)，將之前的MQW層以及MQW層之后的外延層烘烤掉；

S2、再進(jìn)入4~20分鐘的高溫n型GaN生長階段；

S3、重新進(jìn)入正常條件的MQW生長階段直至外延層生長結(jié)束；

所述的MQW層為勢(shì)阱InGaN和勢(shì)壘GaN。