[發(fā)明專利]一種暴露{001}晶面TiO2納米片負(fù)載Agx-Au1-x光催化劑的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811021911.7 | 申請日: | 2018-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN108993493A | 公開(公告)日: | 2018-12-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安會琴;王慧珍;李敏;黃靜媛;王煒 | 申請(專利權(quán))人: | 天津工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | B01J23/52 | 分類號: | B01J23/52 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300387 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶面 納米片 暴露 催化劑 制備 可見光催化活性 光催化活性 可見光響應(yīng) 氯金酸溶液 硝酸銀溶液 催化材料 電子空穴 分離特性 汞燈光照 合金負(fù)載 最終產(chǎn)物 貴金屬 溶劑熱 先驅(qū)體 基光 修飾 合金 合成 賦予 | ||
本發(fā)明涉及一種暴露{001}晶面TiO2納米片負(fù)載Agx?Au1?x光催化劑的制備方法。具體過程如下:首先采用溶劑熱法制備暴露{001}晶面TiO2納米片,之后以合成的暴露{001}晶面TiO2納米片為載體,硝酸銀溶液和氯金酸溶液為先驅(qū)體,通過汞燈光照將Ag?Au合金負(fù)載到暴露{001}晶面TiO2納米片上,得到最終產(chǎn)物暴露{001}晶面TiO2納米片負(fù)載Agx?Au1?x光催化劑。本發(fā)明旨在充分利用TiO2{001}晶面優(yōu)勢改善其光催化活性的同時,進(jìn)一步通過貴金屬Ag?Au合金修飾賦予TiO2優(yōu)異可見光響應(yīng)及電子空穴分離特性,有效提升TiO2基光催化材料可見光催化活性。
技術(shù)領(lǐng)域
本方法發(fā)明屬于功能微納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種暴露{001}晶面TiO2納米片負(fù)載Agx-Au1-x光催化劑的制備方法。
背景技術(shù)
TiO2作為目前應(yīng)用最為廣泛的光催化材料之一,以其催化活性高、化學(xué)穩(wěn)定性好、價格低廉、無毒無害等優(yōu)良性能而最受青睞。然而TiO2也存在自身的局限性,純TiO2的寬帶隙能和高電子空穴復(fù)合率導(dǎo)致其光催化效率較低,這些因素極大地影響了TiO2的實際應(yīng)用。另一方面,半導(dǎo)體光催化技術(shù)以表面反應(yīng)為主,TiO2的不同微觀結(jié)構(gòu)(形貌及暴露晶面等),導(dǎo)致其表面性質(zhì)顯著不同,進(jìn)而影響光催化性能。因此,在實現(xiàn)TiO2微觀結(jié)構(gòu)精細(xì)調(diào)控的同時,設(shè)計新型TiO2基復(fù)合光催化材料成為擴(kuò)展TiO2光響應(yīng)范圍和提升電子空穴分離度的有效手段。
隨著晶面工程的提出和多學(xué)科的交叉共融,近幾年,通過調(diào)控晶體不同晶面暴露程度來調(diào)節(jié)光催化材料性能受到人們的青睞。對于銳鈦礦TiO2,熱力學(xué)優(yōu)勢生長通常暴露{101}晶面,而理論計算和實驗表明其{001}晶面具有更高的光催化活性,但{001}晶面的高表面能導(dǎo)致其易在生長過程中快速消失,因此合成暴露{001}晶面的TiO2為其光催化活性的改善提供了一種新思路。2008年,Yang等人采用水熱法以HF作為晶面控制劑首次合成了暴露{001}晶面比例為47%的微米級銳鐵礦TiO2,該材料顯示出比常規(guī)暴露{101}晶面TiO2更高的光催化活性(Nature,2008,453,638-641.)。隨后,他們以2-丙醇取代水作為增效劑和反應(yīng)媒介,將{001}晶面暴露比例提高至64%,研究發(fā)現(xiàn)其單位比表面積光催化活性是商品化納米TiO2粉末P25的5倍(J.Am.Chem.Soc.,2009,131,4078-4083.)。微米級TiO2比表面積較小,限制了該類材料催化性能的提升。而Han等通過調(diào)變反應(yīng)條件合成了暴露89%{001}面的TiO2納米片,顯示出高于微米材料的光催化活性(J.Am.Chem.Soc.,2009,131,3152-3153.)。受這一啟發(fā),隨后通過改進(jìn)反應(yīng)條件不斷有暴露高比例{001}晶面TiO2納米片(單晶)被合成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津工業(yè)大學(xué),未經(jīng)天津工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811021911.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





