[發(fā)明專利]加熱基座、工藝腔室及退火方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811020733.6
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN110544646B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設計）人: 李強;白志民;邱國慶;耿宏偉
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京思創(chuàng)畢升專利事務所 11218
• 代理人: 孫向民;廉莉莉

1.一種退火方法，利用一種工藝腔室，所述工藝腔室包括加熱基座和頂針升降機構(gòu)，所述加熱基座包括基座主體，所述基座主體的上表面設有多個凸臺，所述基座主體的上表面設有勻流槽，所述基座主體內(nèi)設有氣體通道，所述氣體通道的一端與所述勻流槽連通；

所述退火方法包括：

將基片傳送到所述頂針升降機構(gòu)上；

對所述工藝腔室進行充氣并維持工藝壓力；

向所述氣體通道內(nèi)通入保護氣體；

通過所述頂針升降機構(gòu)帶動所述基片降到工藝位進行退火；

通過所述頂針升降機構(gòu)帶動所述基片升到傳片位；

停止所述工藝腔室的進氣，對所述工藝腔室抽真空；

停止通入保護氣體；

將所述基片傳送出所述工藝腔室。

2.一種工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室包括加熱基座和頂針升降機構(gòu)，用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1所述的退火方法。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述氣體通道沿所述基座主體的軸向設于所述基座主體的中心。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述氣體通道為多條，多條所述氣體通道沿所述基座主體的軸向設置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的工藝腔室，其特征在于，所述基座主體的上表面設有至少一個導氣槽，所述氣體通道的所述一端通過所述導氣槽與所述勻流槽連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝腔室，其特征在于，所述導氣槽的寬度為0.5～5mm，深度為1.5～2.5mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝腔室，其特征在于，所述勻流槽為環(huán)形槽；所述導氣槽為多條，多條所述導氣槽沿所述勻流槽的徑向設置，且沿所述勻流槽的周向均勻分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述氣體通道為多條，多條所述氣體通道沿所述基座主體的軸向設置，所述氣體通道的所述一端設于所述勻流槽中。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述勻流槽的寬度為2～10mm，深度為2～4mm。