[發(fā)明專利]硅基石墨烯的光泵浦電控太赫茲波調(diào)控方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811020525.6 | 申請日： | 2018-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN108897150A | 公開（公告）日： | 2018-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 溫中泉;陳剛;張智海;梁高峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶大學(xué) |
| 主分類號： | G02F1/015 | 分類號： | G02F1/015;G02F1/00 |
| 代理公司： | 重慶市信立達(dá)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 包曉靜 |
| 地址： | 400000 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨烯層 太赫茲波 光泵浦 硅層 光生載流子 調(diào)控 插入損耗 耗盡層 石墨烯 電控 串?dāng)_ 硅基 調(diào)制 技術(shù)方案要點(diǎn) 反向偏壓 費(fèi)米能級 深度增大 響應(yīng) 界面處 襯底 導(dǎo)帶 升高 施加 擴(kuò)散 | ||
1.硅基石墨烯的光泵浦電控太赫茲波調(diào)控方法，其特征是：包括以下步驟：
S1：通過光泵浦技術(shù)，使硅層(3)產(chǎn)生光生載流子；
S2：將所述光生載流子擴(kuò)散到石墨烯層(1)，使所述硅層(3)與所述石墨烯層(1)之間界面處形成耗盡層(2)；
S3：將所述石墨烯層(1)的費(fèi)米能級升高進(jìn)入導(dǎo)帶；
S4：在所述石墨烯層(1)與所述硅層(3)襯底之間施加反向偏壓，使所述耗盡層(2)展寬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基石墨烯的光泵浦電控太赫茲波調(diào)控方法，其特征是：所述硅層(3)為N型高阻硅，所述石墨烯層(1)為p型摻雜石墨烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基石墨烯的光泵浦電控太赫茲波調(diào)控方法，其特征是：所述石墨烯層(1)為單層石墨烯，所述單層石墨烯的光吸收率為2％-4％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基石墨烯的光泵浦電控太赫茲波調(diào)控方法，其特征是：所述光泵浦技術(shù)中的光為連續(xù)可見光。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基石墨烯的光泵浦電控太赫茲波調(diào)控方法，其特征是：所述p型摻雜石墨烯層(1)的摻雜具體包括：利用石墨烯濕法轉(zhuǎn)移法、物理吸附法或化學(xué)吸附法對石墨烯進(jìn)行摻雜。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
