[發明專利]一種共晶LED的制造方法

在審

• 申請號: 201811018686.1
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN109461806A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 羅建華
• 申請（專利權）人: 東洋工業照明（廣東）有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本發明涉及一種共晶LED的制造方法，包括以下步驟：S1涂覆共晶焊料；S2一次焊接；S3點助焊劑；S4安裝LED；S5二次焊接。本發明提供的共晶LED的制造方法，通過在安裝LED芯片之前對共晶焊料進行真空焊接，使得共晶焊料分布于呈腔體結構的共晶焊料位的每個角落，排空共晶焊料位內部的所有空氣，減小空洞率，通過在安裝LED芯片之后對共晶焊料進行真空焊接，使得共晶焊料浸潤LED芯片與焊盤之間的間隙，進一步減小空洞率，提供LED的可靠性。

技術領域

本發明涉及一種LED封裝技術領域，尤其涉及一種共晶LED芯片的制造方法。

背景技術

現有LED的共晶安裝過程一般均包括在基板上涂覆共晶焊料、固晶以及焊接等步驟，其中，固晶前，共晶焊料呈球狀涂敷于基板上，固晶時，LED芯片會壓迫共晶焊料，導致共晶焊料溢出，僅留下焊盤腔體內部的共晶焊料實現導電，然而，由于共晶焊料為共晶粉末加助焊劑混合形成膏體材料，共晶焊料在達到共晶點溫度時，共晶焊料熔化浸潤晶片與支架焊盤，熔化的共晶焊料顆粒在表面張力的作用下凝聚在一起，排出共晶焊料內部的空氣和助焊劑，焊盤腔體內的共晶焊料體積縮小，無法填滿整個腔體而造成空洞。

由于LED芯片的電及位置再晶片底部，晶片四周為藍寶石材料，只有阻焊特性，溢出的共晶焊料熔化后，由于無法浸潤藍寶石而變成錫珠留在LED芯片的四周。

如此一來，LED芯片與焊盤之間，通過具有空洞的共晶焊料實現電連接，連接的穩定性差，導電的電阻大，不能滿足市場需求，因此有必要提出一種新型的制造方法，解決以上問題。

本發明提出一種共晶LED的制造方法，在共晶前對共晶焊料進行真空固化，填充空洞率，提高共晶LED的可靠性。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種共晶LED的制造方法，在共晶前對共晶焊料進行真空固化，填充空洞率，提高共晶LED的可靠性。

為了解決上述技術問題，本發明提出一種共晶LED的制造方法，包括以下步驟：

S1涂覆共晶焊料：將共晶焊料涂覆于基板上，得到待焊基板；

S2一次焊接：將步驟S1得到的待焊基板在真空環境中進行一次焊接，得到固化后的待焊基板；

S3點助焊劑：將助焊劑涂覆于共晶焊料的上，得到待安裝LED的基板；

S4安裝LED：將LED芯片安裝于待安裝LED的基板上，得到待成形LED；

S5二次焊接：將待成形LED在真空環境下進行二次焊接，使得助焊劑從LED芯片與共晶焊料之間排出，得到成型的LED。

優選地，在S2步驟中，一次焊接的真空壓力為4-6pa，溫度為220-240℃，時間為9-11s。

優選地，在S2步驟中，一次焊接的真空壓力為5pa，溫度為230℃，時間為10s。

優選地，包括：在S5步驟中，二次焊接的真空壓力為4-6pa，溫度為220-240℃，時間為9-11s。

優選地，在S5步驟中，二次焊接的真空壓力為5pa，溫度為230℃，時間為10s。

優選地，在S1步驟中，所述待焊基板上設有至少一個LED芯片安裝位，一個LED芯片安裝位包括兩個共晶焊料位，分別為第一共晶焊料位和第二共晶焊料位；

共晶焊料位于所述共晶焊料位內部。

優選地，S4步驟中，LED芯片上設有正電極和負電極，所述正電極與位于所述第一共晶焊料位處的共晶焊料相接觸，所述負電極與位于所述第二共晶焊料位處的共晶焊料相接觸。

優選地，在S1步驟中，采用鋼網模板印刷工藝方式，將共晶焊料涂覆于基板上。