[發明專利]一種活性金屬化釬焊氮化硅陶瓷覆銅基板的制備工藝在審
| 申請號： | 201811018601.X | 申請日： | 2018-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN109053208A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發明（設計）人： | 于利學;于娜;張娜;王美玲 | 申請（專利權）人： | 威海圓環先進陶瓷股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B37/02 | 分類號： | C04B37/02;C04B41/88 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 264200 山東省威海市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化硅陶瓷 覆銅基板 制備工藝 釬焊 氮化硅陶瓷基 活性金屬化 金屬化漿料 真空室 基板 銅片 熱處理 高純氮氣 活性焊接 夾持狀態 強制冷卻 雙面印刷 無氧紫銅 釬焊料 潤濕性 質量份 漿膜 片夾 外用 焊接 配制 印刷 | ||
1.一種活性金屬化釬焊氮化硅陶瓷覆銅基板的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
S1：配制釬焊料漿：按以下質量份取Ni、Ag、W、Ar，其中，Ni：40份-95份；Ag：2份-10份；W：2份-45份；Ar：1份-5份，混合得到金屬化漿料；
S2：將所述金屬化漿料雙面印刷在氮化硅陶瓷基板上，形成釬焊漿膜；
S3：在每一片氮化硅陶瓷基板外用兩片無氧紫銅片夾持，得到氮化硅陶瓷銅片基板；
S4：在真空室條件下，對夾持狀態下的氮化硅陶瓷銅片基板進行熱處理；
S5：在所述真空室充入高純氮氣、強制冷卻，得到氮化硅陶瓷覆銅基板。
2.根據權利要求1所述的活性金屬化釬焊氮化硅陶瓷覆銅基板的制備工藝，其特征在于：所述S3具體包括：采用螺栓型銅模具溫控夾，在每一片氮化硅陶瓷基板外用兩片無氧紫銅片夾持。
3.根據權利要求2所述的活性金屬化釬焊氮化硅陶瓷覆銅基板的制備工藝，其特征在于：所述氮化硅陶瓷基板的尺寸為：139mm*190mm*0.5mm。
4.根據權利要求3所述的活性金屬化釬焊氮化硅陶瓷覆銅基板的制備工藝，其特征在于：所述無氧紫銅片的尺寸為：139mm*190mm*0.5mm。
5.根據權利要求4所述的活性金屬化釬焊氮化硅陶瓷覆銅基板的制備工藝，其特征在于：所述S4中的熱處理具體按照以下燒結曲線進行處理：按15℃/分鐘的升溫速度，待溫度升至1120℃—1130℃時，保溫45分鐘。
6.根據權利要求4所述的活性金屬化釬焊氮化硅陶瓷覆銅基板的制備工藝，其特征在于，所述S5中強制冷卻具體冷卻時間為1.5小時。
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