[發(fā)明專利]一種分叉式磁流體密封裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811017107.1 | 申請日: | 2018-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN109027252B | 公開(公告)日: | 2020-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊小龍;孫彭;何美麗 | 申請(專利權(quán))人: | 廣西科技大學(xué) |
| 主分類號: | F16J15/43 | 分類號: | F16J15/43 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113 | 代理人: | 周晟 |
| 地址: | 545006 廣西壯*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 分叉 流體 密封 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種分叉式磁流體密封裝置,包括外殼、左極靴環(huán)、內(nèi)極靴環(huán)、右極靴環(huán),永磁體環(huán);所述的左極靴環(huán)和右極靴環(huán)套裝于外殼的內(nèi)壁上;所述的左極靴環(huán)的右端面上設(shè)有斜型面I和斜型面II;所述的右極靴環(huán)的左端面上設(shè)有斜型面III和斜型面Ⅳ;所述的內(nèi)極靴環(huán)包括軸向環(huán)、斜向環(huán)I和斜向環(huán)II,所述的斜向環(huán)I和斜向環(huán)II分別設(shè)于軸向環(huán)的兩端,所述的軸向環(huán)套裝于軸上;所述的永磁體環(huán)設(shè)于外殼的內(nèi)壁上,位于左極靴環(huán)和右極靴環(huán)之間,永磁體環(huán)的兩端面分別與左極靴環(huán)右端面的下部和右極靴環(huán)的左端面的下部接觸。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有密封裝置存在轉(zhuǎn)軸偏心從而影響密封裝置耐壓性能的難題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于機(jī)械工程密封領(lǐng)域,具體涉及一種分叉式磁流體密封裝置。
背景技術(shù)
在大軸徑旋轉(zhuǎn)軸磁性液體密封中,由于加工裝配誤差、振動(dòng)等因素的影響,轉(zhuǎn)軸相對于極靴會發(fā)生偏心,將會降低磁性液體密封的耐壓性能,因此減小轉(zhuǎn)軸偏心對磁性液體密封耐壓性能的影響是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)問題之一。
減小轉(zhuǎn)軸偏心對磁性液體密封耐壓性能的影響的方法之一是通過改進(jìn)磁性流體密封結(jié)構(gòu),如對比文獻(xiàn)1(公開號為 CN103498939A的專利)所述的密封裝置。盡管以上文獻(xiàn)所述的密封裝置相對普通磁性流體密封性能得到極大的提高,但其密封裝置并沒有考慮到轉(zhuǎn)軸偏心對磁流體密封耐壓性能的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種分叉式磁流體密封裝置,從而解決現(xiàn)有密封裝置存在轉(zhuǎn)軸偏心從而影響密封裝置耐壓性能的難題,使得該密封技術(shù)成功運(yùn)用于大軸徑旋轉(zhuǎn)密封的場合中。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
所述的分叉式磁流體密封裝置,包括外殼、左極靴環(huán)、內(nèi)極靴環(huán)、右極靴環(huán),永磁體環(huán);
所述的左極靴環(huán)和右極靴環(huán)分別設(shè)于外殼的內(nèi)壁上; 所述的左極靴環(huán)的右端面上設(shè)有斜型面I和斜型面II,所述的斜型面I的上端從左極靴環(huán)內(nèi)圓面的最右端起始,下端沿軸向向左傾斜與斜型面II的上端連接,所述的斜型面II的下端沿軸向向右傾斜延伸至左極靴環(huán)的右端面的中部或下部;
所述的右極靴環(huán)的左端面上設(shè)有斜型面III和斜型面Ⅳ,所述的斜型面III的上端從右極靴環(huán)內(nèi)圓面的最左端起始,下端沿軸向向右傾斜與斜型面Ⅳ的上端連接,所述的斜型面Ⅳ的下端沿軸向向左傾斜延伸至右極靴環(huán)的左端面的中部或下部;
所述的內(nèi)極靴環(huán)包括軸向環(huán)、斜向環(huán)I和斜向環(huán)II,所述的斜向環(huán)I和斜向環(huán)II分別設(shè)于軸向環(huán)的兩端,所述的軸向環(huán)套裝于軸上;所述的斜向環(huán)I傾斜向斜型面II延伸,其左端面與斜型面I平行,其下圓面與斜型面II平行;所述的斜向環(huán)I的左端面上設(shè)有極齒I,所述的極齒I沿垂向向斜型面I方向延伸,與斜型面I之間留有間隙,該間隙中填充磁流體進(jìn)行密封;所述的斜向環(huán)I的下圓面上設(shè)有極齒II,所述的極齒II沿垂向向斜型面II延伸,與斜型面II之間留有間隙,該間隙中填充磁流體進(jìn)行密封;
所述的斜向環(huán)II傾斜向斜型面III延伸,其右端面與斜型面III平行,其下圓面與斜型面Ⅳ平行;所述的斜向環(huán)II的右端面上設(shè)有極齒III,所述的極齒III沿垂向向斜型面III方向延伸,與斜型面III之間留有間隙,該間隙中填充磁流體進(jìn)行密封;所述的斜向環(huán)II的下圓面上設(shè)有極齒Ⅳ,所述的極齒Ⅳ沿垂向向斜型面Ⅳ延伸,與斜型面Ⅳ之間留有間隙,該間隙中填充磁流體進(jìn)行密封;
所述的永磁體環(huán)設(shè)于外殼的內(nèi)壁上,位于左極靴環(huán)和右極靴環(huán)之間,永磁體環(huán)的兩端面分別與左極靴環(huán)右端面的下部和右極靴環(huán)的左端面的下部接觸,永磁體環(huán)與內(nèi)極靴環(huán)不接觸。
所述的極齒I數(shù)量為2-10個(gè);所述的極齒II數(shù)量為1-5個(gè);所述的極齒III的數(shù)量為2-10個(gè);所述的極齒Ⅳ的數(shù)量為1-5個(gè)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣西科技大學(xué),未經(jīng)廣西科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811017107.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





