[發明專利]一種光電器件陰極界面層及其制備方法

在審

• 申請號: 201811016869.X
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN109148729A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 吳小龑;劉琳琳;劉國棟;陳平;李巍;王偉平;趙劍衡;馬於光
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 唐邦英

1.一種光電器件陰極界面層，其特征在于，所述光電器件陰極界面層由金屬納米粒子溶液與陰極界面材料溶液共混后涂覆制成，所述陰極界面材料包覆在金屬納米粒子表面，所述陰極界面材料與金屬納米粒子發生偶聯作用。

2.一種如權利要求1所述的一種光電器件陰極界面層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)、通過化學法合成金屬納米粒子溶液；

2)、將陰極界面材料溶解于溶劑中配置成陰極界面材料溶液；

3)、將金屬納米粒子溶液與陰極界面材料溶液共混，并在室溫下攪拌形成混合溶液，其中，所述陰極界面材料包覆在金屬納米粒子表面，所述陰極界面材料與金屬納米粒子發生偶聯作用；

4)、將混合溶液采用涂覆方式制備成薄膜。

3.根據權利要求2所述的一種光電器件陰極界面層的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：

將制備的薄膜進行加熱處理。

4.根據權利要求2所述的一種光電器件陰極界面層的制備方法，其特征在于，所述金屬納米粒子溶液與陰極界面材料溶液按質量比1：0.3-3進行共混。

5.根據權利要求2所述的一種光電器件陰極界面層的制備方法，其特征在于，所述金屬納米粒子至少包括為金、銀中的一種。

6.根據權利要求2所述的一種光電器件陰極界面層的制備方法，其特征在于，所述陰極界面材料的分子側鏈上至少含有氮原子、硫原子、氨基、巰基、羧基中的一種。

7.根據權利要求2所述的一種光電器件陰極界面層的制備方法，其特征在于，所述陰極界面材料的分子至少包括水/醇溶聚芴類衍生物、聚乙氧基乙烯亞胺中的一種。