[發明專利]一種發光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請號: 201811015764.2
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109411575B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 郭炳磊;王群;葛永暉;呂蒙普;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、N型GAN層、有源層和P型半導體層，所述N型GAN層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述有源層包括多個量子阱和多個量子壘，多個所述量子阱和多個所述量子壘交替層疊設置；所述量子阱的材料采用氮化銦鎵，所述量子壘的材料采用氮化鎵，所述發光二極管外延片還包括缺陷改善層，所述缺陷改善層設置在所述N型GAN層和所述有源層之間；所述缺陷改善層包括依次層疊的第一子層和第二子層，所述第一子層的材料采用未摻雜的氮化鋁，所述第二子層的材料采用N型摻雜的氮化鋁鎵，所述第一子層的厚度為所述第二子層的厚度的1/4~1/2，所述第一子層的厚度為5nm~50nm，所述第二子層中鋁組分的摩爾含量小于或等于0.3，所述第二子層中N型摻雜劑的摻雜濃度小于所述N型GAN層中N型摻雜劑的摻雜濃度，所述第二子層中N型摻雜劑的摻雜濃度為10¹⁸/cm³~5*10¹⁸/cm³。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層的厚度為15nm~140nm。

3.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述缺陷改善層的厚度為20nm~150nm。

4.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長N型半導體層、缺陷改善層、有源層和P型半導體層；

其中，所述缺陷改善層包括依次層疊的第一子層和第二子層，所述第一子層的材料采用未摻雜的氮化鋁，所述第二子層的材料采用N型摻雜的氮化鋁鎵，

所述第一子層的厚度為所述第二子層的厚度的1/4~1/2，所述第一子層的厚度為5nm~50nm，

所述第二子層中鋁組分的摩爾含量小于或等于0.3，所述第二子層中N型摻雜劑的摻雜濃度為10¹⁸/cm³~5*10¹⁸/cm³。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一子層的生長溫度為600℃~900℃。