[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811015159.5 | 申請日: | 2018-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN109461833B | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 卓飛鴻;趙長征;孟健;簡活滕;白皓 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
發(fā)光基板,具有顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外圍非顯示區(qū)域;
至少一圈堤壩結構,設置于所述非顯示區(qū)域上且圍繞所述顯示區(qū)域設置,所述堤壩結構的材質包括基質和摻雜于所述基質中的吸濕材料,所述堤壩結構和所述發(fā)光基板直接接觸;
封裝層,設置于所述發(fā)光基板上,且覆蓋所述堤壩結構;
所述堤壩結構包括第一堤壩結構和第二堤壩結構,所述第二堤壩結構位于所述第一堤壩結構的外圍,且所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構在所述發(fā)光基板上間隔設置;
所述封裝層包括依次層疊設置于所述發(fā)光基板上的第一無機層、有機層以及第二無機層,所述第一無機層設置于所述發(fā)光基板上,所述第一無機層覆蓋所述顯示區(qū)域且至少覆蓋所述非顯示區(qū)域的所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構,所述有機層在所述發(fā)光基板上的垂直投影覆蓋所述顯示區(qū)域且覆蓋所述非顯示區(qū)域的所述第一堤壩結構,所述第二無機層在所述發(fā)光基板上的垂直投影覆蓋所述顯示區(qū)域且至少覆蓋所述非顯示區(qū)域的所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構,所述第一無機層和所述第二無機層在所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構之間形成接觸。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述堤壩結構在所述發(fā)光基板上呈鋸齒狀延伸。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述堤壩結構表面設置有微孔結構。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,第一堤壩結構包括多個第一堤壩體,所述多個第一堤壩體圍成所述第一堤壩結構,相鄰的第一堤壩體間隔設置,所述第二堤壩結構包括多個第二堤壩體,所述多個第二堤壩體圍成所述第二堤壩結構,相鄰的第二堤壩體間隔設置;其中,所述第一堤壩體與對應的相鄰兩個所述第二堤壩體的間隔處相對,所述第二堤壩體與對應的相鄰兩個第一堤壩體的間隔處相對。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述基質為有機材料。
6.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供發(fā)光基板,其中,所述發(fā)光基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;
在所述發(fā)光基板上形成至少一圈堤壩結構,其中,所述堤壩結構設置于所述非顯示區(qū)域上且圍繞所述顯示區(qū)域設置,所述堤壩結構的材質包括基質和摻雜于所述基質中的吸濕材料,所述堤壩結構和所述發(fā)光基板直接接觸;
在所述發(fā)光基板上形成覆蓋所述堤壩結構的封裝層;
所述堤壩結構包括第一堤壩結構和第二堤壩結構,所述第二堤壩結構位于所述第一堤壩結構的外圍,且所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構在所述發(fā)光基板上間隔設置;
所述封裝層包括依次層疊設置于所述發(fā)光基板上的第一無機層、有機層以及第二無機層,所述第一無機層設置于所述發(fā)光基板上,所述第一無機層覆蓋所述顯示區(qū)域且至少覆蓋所述非顯示區(qū)域的所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構,所述有機層在所述發(fā)光基板上的垂直投影覆蓋所述顯示區(qū)域且覆蓋非顯示區(qū)域的所述第一堤壩結構,所述第二無機層在所述發(fā)光基板上的垂直投影覆蓋所述顯示區(qū)域且至少覆蓋所述非顯示區(qū)域的所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構,所述第一無機層和所述第二無機層在所述第一堤壩結構和所述第二堤壩結構之間形成接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





