[發明專利]反應腔室及等離子體加工設備有效
| 申請號： | 201811014960.8 | 申請日： | 2018-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN110875168B | 公開（公告）日： | 2022-08-16 |
| 發明（設計）人： | 李興存 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應 等離子體 加工 設備 | ||
1.一種反應腔室，包括感應線圈、射頻源和介質窗，所述感應線圈與所述介質窗相對設置，所述感應線圈的輸入端與所述射頻源電連接，其特征在于，
所述介質窗包括第一介質板和第二介質板；
所述反應腔室還包括設置在所述第一介質板外側表面的電極板，所述電極板中設置有貫穿所述電極板的厚度的狹縫，所述電極板接地；所述第二介質板設置在所述電極板與所述感應線圈之間，且至少覆蓋所述電極板的背離所述第一介質板的表面；
并且，所述電極板與所述感應線圈的輸出端或者所述射頻源電連接；或者，所述感應線圈的輸出端接地，所述感應線圈與所述電極板容性耦合。
2.根據權利要求1中所述的反應腔室，其特征在于，所述狹縫為多條，每條所述狹縫沿所述電極板的徑向延伸，并且多條所述狹縫沿所述電極板的周向均勻分布。
3.根據權利要求1中所述的反應腔室，其特征在于，所述電極板的厚度為0.1mm~5mm。
4.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，多條所述狹縫在所述第一介質板上的投影面積的總和與所述電極板在所述第一介質板上的投影面積之比大于10%。
5.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述射頻源輸出的頻率的范圍為0.4MHz~60MHz。
6.根據權利要求1-5中任一所述的反應腔室，其特征在于，在所述電極板接地的電路上串聯有電容。
7.根據權利要求2或3所述的反應腔室，其特征在于，所述狹縫的寬度為1mm~10mm。
8.根據權利要求1-5中任一所述的反應腔室，其特征在于，所述電極板上加載的交變電壓的范圍為60V~120V。
9.一種等離子體加工設備，包括反應腔室，其特征在于，所述反應腔室為權利要求1-8中任一所述的反應腔室。
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