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[發(fā)明專利]銫束管用電子倍增器的二次發(fā)射體的制作方法在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201811014920.3 申請日: 2018-08-31
公開(公告)號: CN109346390A 公開(公告)日: 2019-02-15
發(fā)明(設(shè)計)人: 陳奎;余靜;邱葉紅;米偉光 申請(專利權(quán))人: 湖北漢光科技股份有限公司
主分類號: H01J9/12 分類號: H01J9/12;H01J43/04;G04F5/14
代理公司: 武漢開元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42104 代理人: 王和平
地址: 432000 *** 國省代碼: 湖北;42
權(quán)利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 二次發(fā)射體 銀鎂合金 電子倍增器 真空設(shè)備 束管 氧氣 冷卻 制作 致密 水蒸氣 活性物質(zhì) 基體材料 晶體結(jié)構(gòu) 時間連續(xù) 壽命要求 真空退火 真空壓力 抽真空 金屬鎂 金屬銀 原子鐘 熔煉 二氧化碳 放入 裝配
【說明書】:

發(fā)明涉及銫原子鐘領(lǐng)域,公開了一種銫束管用電子倍增器的二次發(fā)射體的制作方法,以金屬銀作為基體材料,以金屬鎂作為活性物質(zhì),熔煉制得銀鎂合金,然后將銀鎂合金進行真空退火處理,再放入真空設(shè)備中升溫,充入氧氣、二氧化碳或水蒸氣中的一種,待銀鎂合金冷卻至室溫后,再次將真空設(shè)備抽真空,當真空壓力小于等于5×10?2Pa后,升溫至350℃~550℃,然后充入50Pa~500Pa氧氣,再將銀鎂合金冷卻至室溫,即在銀鎂合金表面制得MgO膜,制成二次發(fā)射體。本發(fā)明銫束管用電子倍增器的二次發(fā)射體的制作方法,使制得的MgO膜更加致密和牢固,同時改善MgO膜的晶體結(jié)構(gòu),使裝配此二次發(fā)射體的電子倍增器能滿足銫束管長時間連續(xù)使用的要求和銫束管的壽命要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及銫原子鐘領(lǐng)域,具體涉及一種銫束管用電子倍增器的二次發(fā)射體的制作方法。

背景技術(shù)

目前磁選態(tài)銫原子鐘所用的銫信號檢測銫束管內(nèi)的電子倍增器的二次發(fā)射體都是用基金屬附著一層MgO(氧化鎂)膜形成的,現(xiàn)有MgO膜的制作通常有用兩種方法,第一種方法是使用銀鎂合金在真空中升溫氧化使其表面自然生成MgO膜,第二種方法是在真空中利用磁控濺射的方法在基金屬上生成MgO膜。

但目前使用的這兩種方法制作的MgO膜二次發(fā)射體的二次發(fā)射系數(shù)都不穩(wěn)定,隨著使用時間的增加,二次發(fā)射系數(shù)下降過快,其裝配的電子倍增器不能滿足銫束管長時間連續(xù)使用的要求,更達不到銫束管的壽命要求,并且第二種方法不僅設(shè)備復(fù)雜,還要求操作人員具有專業(yè)技術(shù)水平和較強的操作能力,目前只在實驗室和研究所進行制作。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的就是針對上述技術(shù)的不足,提供一種銫束管用電子倍增器的二次發(fā)射體的制作方法,使制得的MgO膜更加致密和牢固,同時改善MgO膜的晶體結(jié)構(gòu),使裝配此二次發(fā)射體的電子倍增器能滿足銫束管長時間連續(xù)使用的要求和銫束管的壽命要求。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所設(shè)計的銫束管用電子倍增器的二次發(fā)射體的制作方法,包括如下步驟:

A)以金屬銀作為基體材料,以金屬鎂作為活性物質(zhì),熔煉制得銀鎂合金;

B)將所述步驟A)中熔煉好的銀鎂合金進行真空退火處理;

C)將所述步驟B)中處理好的銀鎂合金放入真空設(shè)備中升溫,然后充入氧氣、二氧化碳或水蒸氣中的一種;

D)將所述步驟C)中的銀鎂合金冷卻至室溫后,再次將真空設(shè)備抽真空,當真空壓力小于等于5×10-2Pa后,升溫至350℃~550℃,然后充入50Pa~500Pa氧氣,再將銀鎂合金冷卻至室溫,即在銀鎂合金表面制得MgO膜,制成二次發(fā)射體,通過二次升溫氧化,進一步強化了MgO膜的致密性和牢固,改善了MgO膜的晶體結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地,所述步驟D)中,當升溫至350℃~550℃后,保持10分鐘~5小時后再充入氧氣。

優(yōu)選地,所述步驟D)中,充入氧氣后,保持1小時~12小時后,再將銀鎂合金冷卻至室溫。

優(yōu)選地,所述步驟A)中銀鎂合金中鎂的質(zhì)量占比為1%~20%。

優(yōu)選地,所述步驟B)中退火溫度為400℃~450℃,真空壓力小于等于1×10-3Pa,退火時間為30分鐘~60分鐘。

優(yōu)選地,所述步驟B)中將熔煉好的銀鎂合金進行真空退火處理后,使用酒精或丙酮進行清洗。

優(yōu)選地,所述步驟C)中真空設(shè)備在升溫前的真空壓力小于等于1×10-3Pa,真空設(shè)備在45分鐘~90分鐘內(nèi)升溫至660℃~720℃,升溫完成后保溫3分鐘~5分鐘,然后充入5×10-1Pa~1×10-3Pa的氧氣、二氧化碳或水蒸氣中的一種,保持5分鐘~15分鐘后降溫。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點:

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說明:

1、專利原文基于中國國家知識產(chǎn)權(quán)局專利說明書;

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