[發(fā)明專利]一種瞬態(tài)電壓抑制器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811014100.4
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN110875303B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設計）人: 程詩康;顧炎;張森
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王寧

1.一種瞬態(tài)電壓抑制器件，其特征在于，包括：

襯底，為第二導電類型；

第一導電類型阱區(qū)，設于所述襯底上，包括第一阱和第二阱；

第三阱，設于所述襯底上，為第二導電類型，所述第三阱的底部延伸至所述襯底；所述第一導電類型和第二導電類型為相反的導電類型；

第四阱，設于所述第一阱中，為第二導電類型；

隔離結構，所述隔離結構包括設于所述第一阱和第二阱之間的第一隔離部，以及設于所述第一阱和所述第三阱之間的第二隔離部，所述第一隔離部用于將所述第一阱和第二阱相隔離，所述第二隔離部用于將所述第一阱和第三阱相隔離；

第一摻雜區(qū)，為第一導電類型，設于所述第二阱中；

第二摻雜區(qū)，為第二導電類型，設于所述第三阱中；

第三摻雜區(qū)，為第二導電類型，設于所述第四阱中；

第四摻雜區(qū)，為第一導電類型，設于所述第四阱中；

第五摻雜區(qū)，為第一導電類型，從所述第四阱中延伸至所述第四阱外，且位于第四阱外的部分位于所述第一阱中；

第六摻雜區(qū)，為第二導電類型，設于所述第一阱中；

第七摻雜區(qū)，為第二導電類型，設于所述第五摻雜區(qū)下方、所述第一阱中；所述第五摻雜區(qū)設于所述第四摻雜區(qū)和第六摻雜區(qū)之間，所述第四摻雜區(qū)設于所述第三摻雜區(qū)和第五摻雜區(qū)之間；

金屬連線層，包括第一金屬連線和第二金屬連線，位于所述襯底上，所述金屬連線層位于芯片正面，所述第一金屬連線電性連接所述第一摻雜區(qū)和第六摻雜區(qū)作為第一電位端，所述第二金屬連線電性連接所述第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)作為第二電位端。

2.根據權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器件，其特征在于，所述第一電位端用于電性連接輸入輸出端口，所述第二電位端用于接地。

3.根據權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器件，其特征在于，還包括設于所述襯底上的外延層，所述第一導電類型阱區(qū)設于所述外延層中，所述外延層為第二導電類型，所述襯底的摻雜濃度大于所述外延層的摻雜濃度。

4.根據權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器件，其特征在于，所述隔離結構是在隔離槽內填充了絕緣材料的隔離結構。

5.根據權利要求4所述的瞬態(tài)電壓抑制器件，其特征在于，所述第二隔離部的槽深大于或等于所述第三阱的阱深。