[發明專利]一種耗盡型場效應管的制作方法

有效

• 申請號: 201811013159.1
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109192659B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 范捷;萬立宏;王紹榮
• 申請（專利權）人: 江蘇麗雋功率半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/8234
• 代理公司: 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228
• 代理人: 聶啟新

1.一種耗盡型場效應管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底，在所述襯底上生長外延層，所述外延層摻雜有第一導電類型離子；

在所述外延層上制作塊狀分立的厚氧化層；

在所述外延層和所述厚氧化層之間制作柵氧化層；

制作分立的多晶硅柵極，所述多晶硅柵極呈臺階型，每個所述多晶硅柵極分別覆蓋一個厚氧化層的表面以及所述厚氧化層兩側外露的柵氧化層；

進行第二導電類型離子的注入和驅入，在相鄰的兩個多晶硅柵極之間形成體區，所述體區的邊緣與兩側的多晶硅柵極覆蓋下的柵氧化層重合且與兩側的厚氧化層不重合；

注入第一導電類型離子，所述第一導電類型離子注入的最大穿透深度大于所述多晶硅柵極與所述柵氧化層的總厚度，且小于所述多晶硅柵極、所述柵氧化層以及所述厚氧化層三者的總厚度，從而在所述體區與兩側的多晶硅柵極覆蓋下的柵氧化層重合的部分形成溝道區、在不重合的部分形成源區；以1.0E15~1.0E16個/cm的劑量以及50KEV～500KEV的能量注入所述第一導電類型離子，通過調整離子注入的能力調整所述耗盡型場效應管的閾值電壓；

制作介質層、接觸孔以及金屬層；

其中，所述第一導電類型離子為N型離子、所述第二導電類型離子為P型離子，或者，所述第一導電類型離子為P型離子、所述第二導電類型離子為N型離子。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述厚氧化層的生長溫度為900~1200℃，制作得到的所述厚氧化層的厚度為0.1~2.0μm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述柵氧化層的生長溫度為900~1100℃，制作得到的所述柵氧化層的厚度為0.02~0.20μm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作分立的多晶硅柵極，包括：

在所述厚氧化層以及外露的所述柵氧化層的表面生長多晶硅層，所述多晶硅層的生長溫度為500~700℃，生長得到的多晶硅層的厚度為0.3~0.8μm；

對覆蓋在外露的柵氧化層的表面的多晶硅層的預定區域進行刻蝕，直至露出所述預定區域的柵氧化層，從而制作得到分立的多晶硅柵極。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述進行第二導電類型離子的注入和驅入，包括：

以1.0E14~1.0E15個/cm的劑量以及80KEV~120KEV的能量注入所述第二導電類型離子；

在1100~1200℃的溫度范圍內進行驅入，時間為50~200分鐘。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

制作得到的所述介質層包括磷硅玻璃介質層和二氧化硅介質層，所述磷硅玻璃介質層的厚度為0.8μm，所述二氧化硅介質層的厚度為0.2μm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述金屬層包括正面金屬層和背面金屬層，所述正面金屬層的材料采用鋁、硅、銅合金，所述背面金屬層的材料采用鈦、鎳、銀復合層。