[發明專利]半導體裝置組合件和其制造方法

有效

• 申請號: 201811006229.0
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN109427755B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: B·P·沃茲;B·L·麥克萊恩;J·E·明尼克;馬朝輝
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/488;H01L21/50
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體裝置組合件，其包括：

襯底，其具有至少一個離散焊料掩模支座，所述至少一個離散焊料掩模支座定位在所述襯底的頂表面上的電跡線上，其中所述至少一個離散焊料掩模支座由非導電材料組成；

半導體裝置，其安置在所述襯底上方，所述半導體裝置具有從所述半導體裝置朝向所述襯底延伸的至少一個柱，且所述至少一個離散焊料掩模支座從所述襯底朝向所述半導體裝置延伸；和

其中焊料將所述至少一個柱連接到所述襯底上的跡線，且其中所述至少一個離散焊料掩模支座支撐安置在所述襯底上方的所述半導體裝置。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置組合件，其中所述至少一個離散焊料掩模支座具有大致15微米的厚度，所述至少一個離散焊料掩模支座定位在具有大致15微米的厚度的電跡線上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置組合件，其中所述至少一個離散焊料掩模支座具有細長形狀。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置組合件，其中所述細長形狀的主軸與所述襯底的邊緣大體上平行。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置組合件，其中所述細長形狀的主軸相對于所述襯底的邊緣大體上處于45度。

6.一種半導體裝置組合件，其包括：

襯底，其具有多個離散焊料掩模支座，所述多個離散焊料掩模支座中的每一者定位在所述襯底的頂表面上的相應電跡線上，所述多個離散焊料掩模支座由非導電材料組成；

半導體裝置，其鄰近于所述襯底定位；和

多個電互連件，其介于所述襯底與所述半導體裝置之間；

其中所述多個離散焊料掩模支座從所述襯底延伸且接觸所述半導體裝置的底表面。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置組合件，其中所述多個離散焊料掩模支座按預定圖案布置在所述襯底上。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置組合件，其中所述多個離散 焊料掩模支座覆蓋所述襯底的小于50％的表面。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置組合件，其中所述離散焊料掩模支座中的每一個具有介于5微米與100微米之間的厚度。

10.根據權利要求6所述的半導體裝置組合件，其中所述離散焊料掩模支座的水平橫截面形狀是多邊形形狀。

11.根據權利要求6所述的半導體裝置組合件，其中所述離散焊料掩模支座的水平橫截面形狀是圓形或橢圓形形狀。

12.一種制造半導體裝置組合件的方法，其包括：

在襯底上設置至少一個離散焊料掩模支座，所述至少一個離散焊料掩模支座定位在所述襯底的頂表面上的電跡線上，其中所述至少一個離散焊料掩模支座由非導電材料組成；

使半導體裝置鄰近于所述襯底定位；

在所述半導體裝置與所述襯底之間形成至少一個互連件；和

將所述半導體裝置支撐在所述襯底上的所述至少一個離散焊料掩模支座上。

13.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述至少一個互連件進一步包括將至少一個柱連接到所述襯底上的至少一個跡線。

14.根據權利要求13所述的方法，其中將所述至少一個柱連接到至少一個跡線進一步包括使用力控制的熱壓結合進行焊料連接。

15.根據權利要求14所述的方法，其中在所述力控制的熱壓結合期間，所述半導體裝置和所述襯底一起移動，從而使得所述半導體裝置接觸所述襯底上的所述至少一個離散焊料掩模支座。

16.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括在所述襯底上設置至少一個支腿墊。