[發明專利]一種半導體器件清洗工藝及裝置

在審

• 申請號: 201811005835.0
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN109332252A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 高定健
• 申請（專利權）人: 揚州虹揚科技發展有限公司
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/04
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 談杰

本發明提供了一種半導體器件清洗工藝，其包括如下步驟：S100：蒸發清洗步驟；采用正溴丙烷蒸汽對待處理的半導體器件進行清洗處理；S200：冷凝步驟；采用冷凝裝置進行冷凝處理使所述正溴丙烷蒸汽在所述半導體器件上凝結成液滴。本發明還提供一種半導體清洗裝置，其特包括蒸發?冷凝清洗裝置，所述蒸汽?冷凝清洗裝置包括封閉殼體；加熱槽；第一加熱裝置；支撐架；以及冷凝裝置。本發明采用了蒸發?冷凝的工藝實現了清洗劑的反復使用，降低了成本，減少了污染。

技術領域

本發明涉及半導體器件處理領域，尤其涉及一種焊接處理之后得到的半導體器件的清洗工藝及裝置。

背景技術

目前半導體器件完成焊接后，器件表面會存在各種殘留物(如助焊劑、雜質、碳化物等)。由于助焊劑為弱酸性，長期使用，會對焊板和晶粒本身產生腐蝕，半導體材料本身的可靠性和穩定性會降低；而雜質和碳化物會增加材料的漏電，導致材料的高溫特性能力降低，尤其表現在高溫漏電流實驗項目上失效比例較高。因此需要對半導體器件表面進行清洗。

目前行業內采用的方式為丙酮和IPA混合溶液清洗，這種清洗方式的缺點在于清洗力較差，清洗時間較長，揮發嚴重，并且丙酮和IPA耗用較大。

發明內容

針對上述問題，本發明的目的是提供一種處理效果好的、清洗劑使用較少的半導體器件的清洗工藝及清洗裝置。

本發明的技術方案如下：

一種半導體器件清洗工藝，其包括如下步驟：

S100：蒸發清洗步驟；采用正溴丙烷蒸汽對待處理的半導體器件進行清洗處理；

S200：冷凝步驟；采用冷凝裝置進行冷凝處理使所述正溴丙烷蒸汽在所述半導體器件上凝結成液滴。

其中，步驟S100之前還包括預處理步驟，所述預處理步驟包括如下步驟：

S001:采用正溴丙烷對所述待處理的半導體器件進行浸泡處理；

S002：對經過浸泡處理的半導體器件進行漂洗處理。

進一步的，步驟S001中采用的為溫度為40℃～60℃的正溴丙烷；

和/或步驟S002中采用溫度為5℃～15℃的正溴丙烷對所述半導體器件進行漂洗處理。

進一步的，所述步驟S100和步驟S200交替進行。

其中，步驟S001的浸泡處理的時間為2～6分鐘，步驟S002的漂洗處理的時間為3～5分鐘。

本發明還提供一種半導體清洗裝置，其包括蒸發-冷凝清洗裝置，所述蒸汽-冷凝清洗裝置包括

封閉殼體；

加熱槽，所述加熱槽設置在所述封閉殼體中，且所述加熱槽用于放置正溴丙烷；

第一加熱裝置，所述第一加熱裝置與所述加熱槽相鄰，所述第一加熱裝置用于加熱所述正溴丙烷以產生正溴丙烷蒸汽；

支撐架，所述支撐架設置在所述加熱槽的上方且所述支撐架設置在所述封閉殼體中，待處理的半導體器件設置在所述支撐架上；以及

冷凝裝置，所述冷凝裝置設置在所述加熱槽的上方，且所述冷凝裝置設置在所述封閉殼體中。

其中，所述冷凝裝置與放置在所述加熱槽中的正溴丙烷的液面之間的距離為15mm～40mm。

其中，所述半導體器件與放置在所述加熱槽中的正溴丙烷的液面存在一定距離。

其中，所述半導體器件的下沿與放置在所述加熱槽中的正溴丙烷的液面之間的距離為8mm～20mm。