[發(fā)明專利]一種薄膜太陽能電池的制備方法及其制備裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811004524.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110931591B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白安琪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鴻翌科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/054 | 分類號(hào): | H01L31/054;H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人: | 李雪 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 制備 方法 及其 裝置 | ||
1.一種薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,其包括:在薄膜太陽能電池的窗口層表面利用電化學(xué)沉積法制備納米結(jié)構(gòu)陣列層;
所述的制備納米結(jié)構(gòu)陣列層的工藝流程包括:以含金屬離子的溶液為電解液,通過卷對(duì)卷工藝在薄膜太陽能電池的窗口層表面連續(xù)沉積納米結(jié)構(gòu)陣列層;
所述金屬離子選自鋅離子或鋁離子;
所述的制備納米結(jié)構(gòu)陣列層的工藝流程包括:
步驟一、配制含金屬離子的溶液作為電解液,攪拌使溶液混合均勻并加熱;
步驟二、將薄膜太陽能電池卷軸放卷,使平展的電池窗口層朝下,浸潤在電解液表面,并以預(yù)定的速度向前移動(dòng);同時(shí)在電池和電解液中施加電壓,從而在電池的窗口層表面沉積納米結(jié)構(gòu)陣列層;
在步驟二中,以位于電解液上方的電池為工作電極,電解液中有參比電極和對(duì)電極,工作電極與參比電極和對(duì)電極共同構(gòu)成三電極體系,工作電極與參比電極和對(duì)電極連接電化學(xué)工作站,在窗口層表面沉積納米結(jié)構(gòu)陣列層;
電解液的濃度為1-100mM,或者為10~50mM;
電化學(xué)工作站對(duì)工作電極加載-1V至-1.5V恒電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,在步驟二中,電池背面設(shè)置有加熱裝置,加熱溫度保持與電解液溫度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述納米結(jié)構(gòu)陣列層具有凸出部和/或凹陷部結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述納米結(jié)構(gòu)為納米柱、納米錐、納米管、納米點(diǎn)或納米坑。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述納米結(jié)構(gòu)陣列層的材料為本征或者經(jīng)摻雜的ZnO和/或Al2O3。
6.一種用于如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的薄膜太陽能電池制備方法的裝置,其特征在于,包括:
儲(chǔ)液池,儲(chǔ)液池內(nèi)存儲(chǔ)有電解液;
電池傳遞裝置,用于將薄膜太陽能電池以窗口層朝下并浸潤在電解液中的狀態(tài)下以預(yù)定的速度穿過儲(chǔ)液池;
電化學(xué)工作站,電化學(xué)工作站位于儲(chǔ)液池的上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,所述的儲(chǔ)液池內(nèi)還設(shè)置有參比電極和對(duì)電極,參比電極和對(duì)電極分別連接電化學(xué)工作站。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,電池的背面設(shè)置有第一加熱裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,所述的儲(chǔ)液池的周壁外側(cè)和底部還設(shè)置有第二加熱裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,電池卷傳遞裝置包括第一電池卷軸和第二電池卷軸,第一電池卷軸和第二電池卷軸分別設(shè)置在儲(chǔ)液池的左右兩側(cè),電池卷設(shè)置在第一電池卷軸和第二電池卷軸上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
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