[發明專利]一種基于結構復用的大頻比共口徑天線有效
| 申請號： | 201811002125.2 | 申請日： | 2018-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN109273835B | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 程鈺間;張錦帆;趙凡;樊勇;宋開軍;林先其;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01Q1/38 | 分類號： | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q21/06 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 結構 口徑 天線 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于結構復用的大頻比共口徑天線，包括天線輻射結構(1)、波導饋電結構(2)及微帶饋電結構(3)，其特征在于，所述天線輻射結構包括從下往上依次層疊的下介質層(17)、金屬地(16)、中介質層(15)、下金屬覆銅層(14)、上介質層(13)及上金屬覆銅層(11)，所述上金屬覆銅層(11)上開設SIW縫隙陣，并且上金屬覆銅層(11)與下金屬覆銅層(14)通過貫穿上介質層(13)的金屬化過孔(12)連接、共同構成輻射天線；所述微帶饋電結構(3)設置于下介質層(17)的下方，通過對應開設于金屬地(16)上的耦合縫(18)耦合激勵輻射天線；所述波導饋電結構(2)由波導口(21)和與之連接的波導轉SIW過渡結構構成，所述波導轉SIW過渡結構由貫穿中介質層(15)與下介質層(17)的金屬化通孔(22)構成，所述金屬化通孔(22)將下金屬覆銅層(14)、金屬地(16)連接在一起，并且下金屬覆銅層(14)與金屬地(16)上對應開設窗口，所述波導口設置于下介質層(17)下方。
2.按權利要求1所述基于結構復用的大頻比共口徑天線，其特征在于，所述微帶饋電結構(3)由SMA接頭(31)及與之相連的微帶線(32)構成，所述微帶線(32)中串聯有光子帶隙結構(33)、用于隔離高頻信號。
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