[發(fā)明專利]具有延伸穿過導(dǎo)電層的豎直觸點(diǎn)的電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810996618.6 | 申請日： | 2018-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN109427973B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | P·泰薩里歐;湯強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H10N97/00 | 分類號： | H10N97/00;H10B41/27;H10B43/27;H10B63/00;H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 延伸 穿過 導(dǎo)電 豎直 觸點(diǎn) 電容器 | ||
1.一種集成在半導(dǎo)體裝置中的設(shè)備，其包括：
導(dǎo)電材料，其位于所述設(shè)備的不同層級中；
電介質(zhì)材料，其位于所述設(shè)備的不同層級中，所述導(dǎo)電材料中的一種在所述電介質(zhì)材料的兩種之間，且所述電介質(zhì)材料中的一種在所述導(dǎo)電材料的兩種之間；
第一導(dǎo)電觸點(diǎn)，其具有在垂直于所述設(shè)備的所述層級的方向上延伸穿過所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料的長度，且所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電材料電分離；
第二導(dǎo)電觸點(diǎn)，其具有在垂直于所述設(shè)備的所述層級的方向上延伸穿過所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料的長度，且所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電材料電分離；
第三導(dǎo)電觸點(diǎn)，其具有在垂直于所述設(shè)備的所述層級的方向上延伸穿過所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料的長度，且所述第三導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電材料電分離；
導(dǎo)電區(qū)，其所位于的層級不同于所述導(dǎo)電材料的層級且不同于所述電介質(zhì)材料的層級，所述導(dǎo)電區(qū)在從所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)至所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)以及從所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)至所述第三導(dǎo)電觸點(diǎn)的方向上延伸，且所述導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)、所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)和所述第三導(dǎo)電觸點(diǎn)直接接觸；以及
額外導(dǎo)電觸點(diǎn)，其接觸所述導(dǎo)電材料中的一組導(dǎo)電材料，其中所述額外導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)、所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)和所述第三導(dǎo)電觸點(diǎn)電分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)是電容器的第一節(jié)點(diǎn)的部分，且所述額外導(dǎo)電觸點(diǎn)是所述電容器的第二節(jié)點(diǎn)的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述額外導(dǎo)電觸點(diǎn)是第一額外導(dǎo)電觸點(diǎn)，所述設(shè)備進(jìn)一步包括：
第四導(dǎo)電觸點(diǎn)，其具有在垂直于所述設(shè)備的所述層級的方向上延伸穿過所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料的長度，且所述第四導(dǎo)電觸點(diǎn)與所述導(dǎo)電材料電分離；
第二額外導(dǎo)電觸點(diǎn)，其接觸所述導(dǎo)電材料中的多種導(dǎo)電材料；以及
一個額外導(dǎo)電區(qū)，其電耦合到所述第一額外導(dǎo)電觸點(diǎn)和所述第二額外導(dǎo)電觸點(diǎn)，所述一個額外導(dǎo)電區(qū)的延伸方向垂直于從所述第一導(dǎo)電觸點(diǎn)至所述第二導(dǎo)電觸點(diǎn)的方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述導(dǎo)電區(qū)是位于所述設(shè)備的第一層級的第一導(dǎo)電區(qū)，所述設(shè)備進(jìn)一步包括：
第二導(dǎo)電區(qū)，其位于所述設(shè)備的第二層級中且接觸所述額外導(dǎo)電觸點(diǎn)，其中所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料位于所述第一層級與所述第二層級之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述導(dǎo)電區(qū)是位于所述設(shè)備的第一層級的第一導(dǎo)電區(qū)，所述設(shè)備進(jìn)一步包括：
第二導(dǎo)電區(qū)，其位于所述設(shè)備的第二層級中且接觸所述額外導(dǎo)電觸點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料位于所述設(shè)備的襯底上，且所述第一層級在所述襯底與所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料的組合之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料位于所述設(shè)備的襯底上，且所述導(dǎo)電材料和所述電介質(zhì)材料在所述第一層級與所述襯底之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述額外導(dǎo)電觸點(diǎn)接觸一組所述電介質(zhì)材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述一組導(dǎo)電材料包含所有所述導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述一組導(dǎo)電材料包含少于所有所述導(dǎo)電材料的導(dǎo)電材料。
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