[發明專利]氣體傳感器元件以及氣體傳感器

有效

• 申請號: 201810994755.6
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109425645B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 中務卓哉;水谷正樹
• 申請（專利權）人: 日本特殊陶業株式會社
• 主分類號: G01N27/419
• 分類號: G01N27/419;G01N27/409
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊海榮;穆德駿

1.一種氣體傳感器元件，具備：包含1個以上檢測部的元件本體、以及以包覆所述檢測部的構成與所述元件本體一體地設置的多孔狀的保護層，所述檢測部具有固體電解質體、以及分別配置于所述固體電解質體的一側的面以及另一側的面的一對電極，

所述元件本體內含加熱器，所述加熱器是通過通電而發熱的發熱體、且將所述檢測部加熱，

所述保護層具有第1保護層以及第2保護層，

所述第1保護層是通過貴金屬催化劑負載于以白色系陶瓷為主成分的載體上而成，

所述第2保護層以白色系陶瓷為主成分，所述第2保護層為沒有負載貴金屬催化劑的層、或者為貴金屬催化劑的負載量少于所述第1保護層且在最外表面處各邊為5μm的正方形以內包含平均1粒以下貴金屬催化劑的層，所述第2保護層覆蓋所述第1保護層的外側，所述第2保護層自身的表面的至少一部分構成為所述保護層的最外表面，且所述第2保護層的厚度比所述第1保護層小，

所述保護層具有第3保護層，

所述第3保護層以白色系陶瓷為主成分，所述第3保護層為沒有負載貴金屬催化劑的層、或者為貴金屬催化劑的負載量少于所述第1保護層且在最外表面處各邊為5μm的正方形以內包含平均1粒以下貴金屬催化劑的層，所述第3保護層配置于所述第1保護層的內側，

所述第3保護層的厚度比所述第1保護層小且比所述第2保護層大。

2.根據權利要求1所述的氣體傳感器元件，其中，所述第1保護層以及所述第2保護層均以相同的陶瓷材料為主成分。

3.根據權利要求1所述的氣體傳感器元件，其中，所述第1保護層、所述第2保護層、以及所述第3保護層均以相同的陶瓷材料為主成分。

4.根據權利要求1或3所述的氣體傳感器元件，其中，所述第3保護層的平均氣孔徑大于所述第1保護層的平均氣孔徑。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的氣體傳感器元件，其中，

所述保護層的白色系陶瓷是氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化鈦(TiO₂)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鎂(MgO)、莫來石(Al₂O₃-SiO₂)、尖晶石(MgAl₂O₄)、堇青石(MgO-Al₂O₃-SiO₂)之中的一者，或者包含它們之中的二者以上的混合物。

6.一種氣體傳感器，具備：權利要求1至3中任一項所述的氣體傳感器元件、以及保持所述氣體傳感器元件的殼體。