[發明專利]一種CZTSSe薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201810994145.6 | 申請日： | 2018-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN110872101A | 公開（公告）日： | 2020-03-10 |
| 發明（設計）人： | 吉成龍 | 申請（專利權）人： | 吉成龍 |
| 主分類號： | C01B19/00 | 分類號： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 225800 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cztsse 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種CZTSSe薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）、將將通的鹵化物和有機溶劑A進行攪拌得到溶液A；
（2）、將硫化鈉和有機溶劑B進行攪拌得到溶液B；
（3）、溶液A和溶液B進行攪拌后得到硫化銅納米顆粒；
（4）、硫化銅納米顆粒加入硫源和有機溶劑得到前驅體漿料；
（5）、前驅體漿料和基地進行涂膜得到濕膜；
（6）、濕膜經過干燥處理得到干膜；
（7）、干膜經過硫化處理得到CZTS薄膜；
（8）、CZTS薄膜進行硒化處理得到CZTSSe薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種CZTSSe薄膜的制備方法，其特征在于：所述溶液A和溶液B進行攪拌時處于冰浴狀態。
3.根據權利要求2所述的一種CZTSSe薄膜的制備方法，其特征在于：所述溶液A和溶液B進行攪拌時處于氮氣氣氛下。
4.根據權利要求3所述的一種CZTSSe薄膜的制備方法，其特征在于：所述硫化銅納米顆粒還需要加入鋅源。
5.根據權利要求1所述的一種CZTSSe薄膜的制備方法，其特征在于：所述硫化銅納米顆粒加入還需加入錫源和鍺源。
6.根據權利要求5所述的一種CZTSSe薄膜的制備方法，其特征在于：所述硫化銅納米顆粒，錫源、鍺源、鋅源、硫源和有機溶劑進行球磨后得到前驅體漿料。
7.根據權利要求1所述的一種CZTSSe薄膜的制備方法，其特征在于：所述干膜進行重復涂膜處理。
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