[發(fā)明專利]一種基于SrO阻變存儲器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810993822.2 | 申請日： | 2018-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN109273597B | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 譚婷婷;杜怡行;曹愛;查鋼強;陳勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 西北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204 | 代理人： | 劉新瓊 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 sro 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于SrO阻變存儲器，其特征在于采用MIM結(jié)構(gòu)，MIM結(jié)構(gòu)的頂電極和底電極分別為金屬電極，中間介質(zhì)層為非晶氧化鍶薄膜；其中，頂電極為Sn-Cu合金，厚度在200-500nm；底電極為Pt，Pt的厚度在100-200nm；所述的非晶氧化鍶薄膜厚度為20-60nm；
其中,在中間介質(zhì)層與頂電極之間設(shè)有保護層，保護層為金屬Pt，厚度在10-50nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于SrO阻變存儲器，其特征在于所述的Sn-Cu合金包含99.7％的Sn，0.3％的Cu。
3.一種權(quán)利要求1-2任意一項所述的基于SrO阻變存儲器的制備方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：在依次經(jīng)過去離子水、酒精、丙酮預(yù)處理過的Pt襯底(1)上沉積SrO薄膜(2)，厚度在20nm-60nm之間；沉積采用JGP560C型超高真空多功能磁控濺射設(shè)備，沉積真空度小于1×10-4Pa，沉積速率在2nm/min和10nm/min之間；
步驟2：在真空度小于1×10-4Pa的情況下，在制備的SrO薄膜(2)上沉積一層Pt層(3)作為保護層，厚度在10nm-50nm之間；
步驟3：利用真空蒸鍍設(shè)備蒸鍍錫銅合金電極(4)，厚度在200nm和500nm之間，制備電極的過程中，通過孔洞直徑為0.3mm的掩膜版獲得所需電極的圖形。
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