[發明專利]用于基于循環計數度量調節分界電壓的方法和裝置

在審

• 申請號: 201810993816.7
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109584920A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 房偉;P·S·達姆勒;N·N·加耶拉
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C7/14
• 分類號: G11C7/14;G11C16/26;G11C16/30;G11C16/34
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉瑜;王英

1.一種裝置，包括：

第一存儲器陣列，包括多個存儲器單元；以及

控制器，用于：

至少部分地基于對所述第一存儲器陣列的至少一部分執行的寫入次數來跟蹤第一循環計數度量；以及

基于所述第一循環計數度量來調節在對所述第一存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加的分界電壓。

2.如權利要求1所述的裝置，所述控制器用于：

至少部分地基于對包括第二多個存儲器單元的第二存儲器陣列的至少一部分執行的寫入次數來跟蹤第二循環計數度量，其中，第一存儲器芯片包括所述第一存儲器陣列并且第二存儲器芯片包括所述第二存儲器陣列；以及

基于所述第二循環計數度量來調節在對所述第二存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加的分界電壓。

3.如權利要求1-2中任一項所述的裝置，其中，調節的分界電壓是在對半導體芯片的多個存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加的。

4.如權利要求1-3中任一項所述的裝置，其中，所述控制器基于所述第一循環計數度量來調節在對所述第一存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加的多個分界電壓。

5.如權利要求1-4中任一項所述的裝置，其中，所述分界電壓是響應于確定所述第一循環計數度量已超過閾值而被調節的。

6.如權利要求1-5中任一項所述的裝置，其中，所述第一循環計數度量是多組存儲器單元的寫入循環計數的分布的μ-3σ寫入循環計數。

7.如權利要求1-5中任一項所述的裝置，其中，所述第一循環計數度量是多組存儲器單元的寫入循環計數的平均值。

8.如權利要求1-5中任一項所述的裝置，其中，所述第一循環計數度量是多組存儲器單元的最大寫入循環計數。

9.如權利要求1-8中任一項所述的裝置，其中，所述控制器用于：

至少部分地基于對所述第一存儲器陣列的至少一部分執行的寫入次數來跟蹤第二循環計數度量；以及

基于所述第二循環計數度量來調節在對所述第一存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加的所述分界電壓。

10.如權利要求1-9中任一項所述的裝置，其中，所述控制器從由所述控制器跟蹤的信息導出至少一個循環計數度量，以在多個存儲器陣列之間執行磨損均衡。

11.如權利要求1-10中任一項所述的裝置，其中，所述第一循環計數度量是基于所述第一存儲器陣列的存儲器單元構成的片的寫入循環計數的，其中，所述寫入循環計數被存儲在所述片中。

12.如權利要求1-11中任一項所述的裝置，還包括通信地耦合到處理器的電池、通信地耦合到所述處理器的顯示器、或通信地耦合到所述處理器的網絡接口。

13.一種方法，包括：

至少部分地基于對包括多個存儲器單元的第一存儲器陣列的至少一部分執行的寫入次數來跟蹤第一循環計數度量；以及

基于所述第一循環計數度量來調節在對所述第一存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加的分界電壓。

14.如權利要求13所述的方法，還包括：

至少部分地基于對包括存儲器單元的第二存儲器陣列的至少一部分執行的寫入次數來跟蹤第二循環計數度量，其中，第一存儲器芯片包括所述第一存儲器陣列，并且第二存儲器芯片包括所述第二存儲器陣列；以及

基于所述第二循環計數度量來調節在對所述第二存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加的分界電壓。

15.如權利要求13-14中任一項所述的方法，還包括在對半導體芯片的多個存儲器陣列的存儲器單元執行的讀取操作期間施加調節的分界電壓。