[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810993368.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109545702B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田中孝佳;大跡明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀川通寺之內(nèi)上*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
通過(guò)將疏水劑的液體供給至基板(W)的表面而形成覆蓋基板(W)的整個(gè)表面的疏水劑的液膜。之后,一面維持基板(W)的整個(gè)表面由疏水劑的液膜覆蓋著的狀態(tài)一面使基板(W)上的疏水劑的液量減少。之后,在基板(W)上的疏水劑的液量已減少的狀態(tài)下,將第1有機(jī)溶劑的液體供給至由疏水劑的液膜覆蓋著的基板(W)的表面,由此以第1有機(jī)溶劑的液體來(lái)置換基板(W)上的疏水劑的液體。之后,使基板(W)干燥。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種處理基板的基板處理方法及基板處理裝置。在作為處理對(duì)象的基板中,例如,包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽(yáng)能電池用基板、有機(jī)電致發(fā)光(electroluminescence,EL)顯示裝置等平板顯示器(Flat Panel Display,F(xiàn)PD)用基板等。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置或液晶顯示裝置等的制造工序中,會(huì)使用對(duì)半導(dǎo)體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進(jìn)行處理的基板處理裝置。美國(guó)專利公開號(hào)US2009/0311874A1的各實(shí)施方式中揭示有:為了防止圖案的倒塌而將斥水性保護(hù)膜形成在基板的表面。
例如,在US 2009/0311874 A1的第2實(shí)施方式中揭示了使用單片式的基板處理裝置的基板的處理。在所述處理中,將硫酸過(guò)氧化氫混合液(Sulfuric Acid HydrogenPeroxide Mixture,SPM)等藥液、純水、異丙醇(isopropyl alcohol,IPA)等醇、硅烷偶聯(lián)劑、IPA等醇及純水依此順序供給至基板。之后,進(jìn)行甩去基板表面殘留的純水而使基板干燥的旋干(spin dry)處理。在基板干燥后,因硅烷偶聯(lián)劑的供給而形成在基板的表面上的斥水性保護(hù)膜通過(guò)干法灰化(dry ashing)或臭氧處理等灰化處理而自基板去除。
根據(jù)本發(fā)明人等的研究可知:在像US 2009/0311874 A1的第2實(shí)施方式那樣將硅烷偶聯(lián)劑等疏水劑供給至基板,之后以IPA等醇置換基板上的疏水劑的處理中,極小的顆粒大幅增加。在要求更高的清潔度的情況下,即使是如此小的顆粒也不可忽視。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種基板處理方法,包括:疏水劑供給工序,通過(guò)將使形成有圖案的基板的表面疏水化的疏水劑的液體供給至所述基板的表面而形成覆蓋所述基板的整個(gè)表面的所述疏水劑的液膜;液量減少工序,在所述疏水劑供給工序之后,一面維持所述基板的整個(gè)表面由所述疏水劑的液膜覆蓋著的狀態(tài),一面使所述基板上的所述疏水劑的液量減少;第1有機(jī)溶劑供給工序,在所述液量減少工序之后,在所述基板上的所述疏水劑的液量已減少的狀態(tài)下,將第1有機(jī)溶劑的液體供給至由所述疏水劑的液膜覆蓋著的所述基板的表面,由此以所述第1有機(jī)溶劑的液體來(lái)置換所述基板上的所述疏水劑的液體;以及干燥工序,在所述第1有機(jī)溶劑供給工序之后,使所述基板干燥。
根據(jù)所述方法,形成覆蓋形成有圖案的基板的整個(gè)表面的疏水劑的液膜。之后,一面維持所述狀態(tài)一面使基板上的疏水劑的液量減少。并且,在基板上的疏水劑的液量已減少的狀態(tài)下,將第1有機(jī)溶劑供給至由疏水劑的液膜覆蓋著的基板的表面,以第1有機(jī)溶劑來(lái)置換基板上的疏水劑。因第1有機(jī)溶劑具有親水基及疏水基這兩者,所以基板上的疏水劑被置換為第1有機(jī)溶劑。之后,使基板干燥。
因在使基板干燥之前已將疏水劑供給至基板,所以可使在基板的干燥過(guò)程中自液體施加至圖案的力下降。由此,可使圖案的倒塌率下降。進(jìn)而,因在將第1有機(jī)溶劑供給至基板之前已使基板上的疏水劑的液量減少,所以可減少因第1有機(jī)溶劑與疏水劑的反應(yīng)而產(chǎn)生的顆粒的數(shù)量。由此,可減少干燥后的基板上殘留的顆粒的數(shù)量,并可提高干燥后的基板的清潔度。
在所述實(shí)施方式中也可以將以下特征中的至少一個(gè)添加至所述基板處理方法。
所述第1有機(jī)溶劑供給工序是在所述液量減少工序之后,在所述基板上的所述疏水劑的液量已減少的狀態(tài)下,將被預(yù)先加熱至高于室溫的溫度并且表面張力低于水的所述第1有機(jī)溶劑的液體供給至由所述疏水劑的液膜覆蓋著的所述基板的表面,由此以所述第1有機(jī)溶劑的液體來(lái)置換所述基板上的所述疏水劑的液體的工序。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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