[發明專利]電可編程的多晶硅熔絲器件結構有效
| 申請號： | 201810992764.1 | 申請日： | 2018-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN109166841B | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 武潔 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可編程 多晶 硅熔絲 器件 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種電可編程的多晶硅熔絲器件結構，該結構包括多晶硅熔絲陽極、多晶硅熔絲陰極以及多晶硅熔絲三部分；中間的多晶硅熔絲兩頭分別連接多晶硅熔絲陽極以及多晶硅熔絲陰極；多晶硅熔絲的寬度遠小于多晶硅熔絲陽極和多晶硅熔絲陰極；
其特征在于：所述多晶硅熔絲部分對應多晶硅寬度為設計規則允許最小寬度，多晶硅熔絲電阻方塊數在8～13Ω/口之間；多晶硅熔絲連接于多晶硅熔絲陰極的中間位置，使多晶硅熔絲兩側與多晶硅熔絲陰極的夾角a對稱；多晶硅熔絲陰極與多晶硅熔絲連接處夾角a為：30度＜a＜60度；多晶硅熔絲陽極打滿接觸孔，多晶硅熔絲陰極的接觸孔只形成于最外圍一圈。
2.如權利要求1所述的電可編程的多晶硅熔絲器件結構，其特征在于：所述結構采用在場氧上的多晶硅形成，場氧下的阱對熔絲特性無影響。
3.如權利要求2所述的電可編程的多晶硅熔絲器件結構，其特征在于：多晶硅熔絲陽極與多晶硅熔絲連接處角度為90度。
4.如權利要求1所述的電可編程的多晶硅熔絲器件結構，其特征在于：多晶硅熔絲陽極、多晶硅熔絲陰極以及多晶硅熔絲三部分同時需要注入P+。
5.如權利要求4所述的電可編程的多晶硅熔絲器件結構，其特征在于：P+注入借用標準工藝中PMOS的源漏注入同時進行，無需增加額外的注入步驟。
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