[發明專利]頂層金屬鍵合墊的引出結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201810992761.8
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109166838A
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 遇寒;蔡瑩;周正良
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于，包括：

頂層金屬鍵合墊由表面形成有TiN層的頂層金屬層進行光刻刻蝕形成；

所述頂層金屬鍵合墊的頂部形成有引出結構，所述引出結構用于將所述頂層金屬鍵合墊和外部電極連接；

所述引出結構包括第一窗口和第二窗口，所述第二窗口的橫向尺寸小于所述第一窗口的橫向尺寸且所述第二窗口位于所述第一窗口內；

在所述TiN層的表面形成有第一介質層，所述第一窗口由對所述第一窗口區域的所述第一介質層和所述TiN層進行刻蝕并完全去除形成，所述第一窗口內直接露出所述頂層金屬層的表面；

在所述第一窗口外的所述第一介質層的表面以及所述第一窗口的側面和所述第一窗口底部的所述頂層金屬層的表面形成有第二介質層，所述第二窗口由對所述第二窗口區域的所述第二介質層進行刻蝕并完全去除形成，所述第二窗口內直接露出所述頂層金屬層的表面；

在所述第二窗口的側面和所述第一窗口的側面之間保留有所述第二介質層并由保留的所述第二介質層組成隔離結構，所述隔離結構防止所述TiN暴露在所述第二窗口內，從而防止所述TiN層被氟腐蝕。

2.如權利要求1所述的頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于：所述頂層金屬鍵合墊為RFLDMOS的頂層金屬電極對應的頂層金屬鍵合墊。

3.如權利要求2所述的頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于：所述RFLDMOS由多個單元結構并聯而成；所述RFLDMOS的各單元結構包括由所述頂層金屬層圖形化形成的源極、柵極和漏極。

4.如權利要求3所述的頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于：由所述RFLDMOS的各單元結構的所述源極、所述柵極和所述漏極組成所述RFLDMOS的頂層金屬電極；

所述RFLDMOS的各單元結構的所述柵極都連接到同一個頂層金屬鍵合墊并呈多指結構；

所述RFLDMOS的各單元結構的所述源極都連接同一個頂層金屬鍵合墊；

所述RFLDMOS的各單元結構的所述源極都連接同一個頂層金屬鍵合墊。

5.如權利要求1所述的頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于：所述第一介質層由第一氧化層組成；

所述第二介質層由第二氧化層和第三氮化層疊加而成。

6.如權利要求5所述的頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于：所述第一氧化層的厚度為

7.如權利要求1所述的頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于：所述隔離結構的寬度為5微米以上。

8.如權利要求1所述的頂層金屬鍵合墊的引出結構，其特征在于：所述隔離結構的寬度為10微米。