[發明專利]適用于恒包絡非線性調制的片上集成收發匹配網絡及方法

有效

• 申請號: 201810992425.3
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN108683434B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 徐棟麟;曹克;王照鋼;李歆
• 申請（專利權）人: 上海亮牛半導體科技有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 包姝晴

1.一種適用于恒包絡非線性調制的片上集成電路收發匹配網絡，其特征在于，包含：片上的電感L1、電感L2、電容C1、電容C2、電容C3、NMOS管開關S1、NMOS管開關S2、片上變壓器；片外設有天線；

片上發射電路輸出用的發射端TX連接電感L2一端，電感L2的另一端在節點B連接開關S1的漏端以及電容C2的一個極板，開關S1的源端連接到GND，開關S1通過接入其柵極的接收使能信號RXEN來控制；

電容C2的另一個極板、電容C1的一個極板和電感L1的一端，均連接到天線的端口；電容C1的另一個極板連接到GND；

電感L1的另一端在節點A連接片上變壓器的初級線圈輸入端，初級線圈的另一端與電容C3的一個極板連接到GND，電容C3的另一個極板連接到節點A；片上變壓器的次級線圈與片上接收電路的接收端RX連接；

開關S2的漏端連接到節點A，開關S2的源端連接到GND，開關S2通過接入其柵極的發射使能信號TXEN來控制。

2.如權利要求1所述的片上集成電路收發匹配網絡，其特征在于，

芯片工作在接收狀態時，形成有完全直流連通的靜電釋放路徑，其從天線端口經電感L1連接到片上變壓器的初級線圈，進而連接到GND；

芯片工作在發射狀態時，形成有完全直流連通的靜電釋放路徑，其從天線端口經電感L1連接到GND。

3.如權利要求1所述的片上集成電路收發匹配網絡，其特征在于，

將電感L1另一端、電容C1另一個極板的連接結構，替換為：

電感L1的另一端連接到GND，且電容C1的另一個極板在節點A連接片上變壓器的初級線圈輸入端；

芯片工作在接收狀態時，形成有完全直流連通的靜電釋放路徑，其從天線端口經電感L1連接到GND，以及從天線端口經片上變壓器的初級線圈連接到GND；

芯片工作在發射狀態時，形成有完全直流連通的靜電釋放路徑，其從天線端口經電感L1連接到GND。

4.如權利要求1所述的片上集成電路收發匹配網絡，其特征在于，

芯片工作在接收狀態時，發射端TX沒有輸出信號，接收使能信號RXEN為高電平，電感L2通過源漏極導通的開關S1連接到GND；天線的信號通過電感L1、電容C1、電容C2、電容C3以及片上變壓器形成的輸入匹配網絡進入片上接收電路；

芯片工作在發射狀態時，片上變壓器處于短路連接到GND的狀態；電感L1和電容C1形成諧振腔；接收使能信號RXEN為低電平，開關S1關斷，電感L2和電容C2形成所需頻段的帶通濾波結構；發射端TX輸出的信號通過電感L2、電感L1、電容C1、電容C2和電容C5形成的結構匹配到天線端口，其中電容C5為開關S1關斷時其漏極到GND的寄生電容。

5.如權利要求 3所述的片上集成電路收發匹配網絡，其特征在于，

芯片工作在接收狀態時，發射端TX沒有輸出信號，接收使能信號RXEN為高電平，電感L2通過源漏極導通的開關S1連接到GND；天線的信號通過電感L1、電容C1、電容C2、電容C3以及片上變壓器形成的輸入匹配網絡進入片上接收電路；

芯片工作在發射狀態時，片上變壓器處于短路連接到GND的狀態；電感L1和電容C1形成諧振腔；接收使能信號RXEN為低電平，開關S1關斷，電感L2和電容C2形成所需頻段的帶通濾波結構；發射端TX輸出的信號通過電感L2、電感L1、電容C1、電容C2和電容C5形成的結構匹配到天線端口，其中電容C5為開關S1關斷時其漏極到GND的寄生電容。

6.如權利要求1所述的片上集成電路收發匹配網絡，其特征在于，

將電容C2另一個極板、電感L1另一端、電容C3兩個極板的連接結構，替換為：

電容C2的另一個極板和電感L1的另一端，均在節點C連接電容C3的一個極板；電容C3的另一個極板在節點A連接片上變壓器的初級線圈輸入端；

芯片工作在接收狀態或發射狀態時，分別形成有完全直流連通的靜電釋放路徑，其從天線端口連接到電感L1，進而連接到GND。