[發明專利]一種在硅襯底上直接外延生長鍺虛擬襯底的方法有效

申請號：	201810992194.6	申請日：	2018-08-29
公開（公告）號：	CN109166788B	公開（公告）日：	2021-03-19
發明（設計）人：	蘆紅;苗藝;魏煉;葉佳佳;宋歡歡;陳延峰	申請（專利權）人：	南京大學
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02
代理公司：	南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249	代理人：	陳建和
地址：	210046 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種襯底直接外延生長虛擬方法
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【權利要求書】：

1.一種在硅襯底上直接外延生長鍺虛擬襯底的方法，其特征在于，具體步驟包括：步驟1，獲取（100）晶面的硅襯底，或者（111）晶面的硅襯底；步驟2，將硅襯底用氫氟酸處理后，在真空環境中進行表面處理；步驟3，通過分子束外延的方法，在經表面處理后的硅襯底之上生長一層硅緩沖層；硅緩沖層的生長厚度為20-50nm；步驟4，將所述硅緩沖層調至合適的生長溫度，然后在硅緩沖層上直接外延生長微米級別厚度的鍺虛擬襯底；分子束外延的方法在Si緩沖層上生長鍺虛擬襯底，選取的生長溫度為200℃；所述步驟2中，對于（100）晶面的硅襯底，在500℃-600℃進行表面處理，對于（111）晶面的硅襯底，在800℃-1000℃進行表面處理；步驟3中對于（100）晶面的硅襯底和（111）晶面的硅襯底，所述硅緩沖層的生長溫度為400-600℃。

2.根據權利要求1所述的一種在硅襯底上直接外延生長鍺虛擬襯底的方法，其特征在于，對于（100）晶面的硅襯底，表面處理的時間為5-10分鐘。

3.根據權利要求1所述的一種在硅襯底上直接外延生長鍺虛擬襯底的方法，其特征在于，對于（111）晶面的硅襯底，表面處理的時間為5-10分鐘。

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