[發明專利]半導體裝置的封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201810991989.5
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN110875294A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 許哲瑋;許詩濱
• 申請（專利權）人: 鳳凰先驅股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/498;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理事務所(普通合伙) 11301
• 代理人: 何佳

1.一種半導體裝置的封裝結構，其特征在于，該封裝結構的每一單位包括：

一第一導電層，具有相對設置的一第一表面與一第二表面；

一第二導電層，位于該第一導電層的第一表面下方，且具有相對設置的一第一表面與一第二表面；

一第一晶粒，具有相對設置的一主動面與一背面，其主動面具有多個金屬襯墊，并且該第一晶粒以其背面接置于該第一導電層的第一表面；

一第二晶粒，具有相對設置的一主動面與一背面，其主動面具有多個金屬襯墊，并且該第二晶粒以其背面接置于該第一導電層的第二表面；

多個第一盲孔柱，設置于該第二導電層與該第一晶粒的對應金屬襯墊之間，以傳遞該第一晶粒的信號；以及

一導電結構，電性連接該第一導電層與該第二晶粒的對應金屬襯墊，以傳遞該第二晶粒的信號；

其中該第一導電層與該第二導電層分別具有預定的線路布局圖案，并且這些第一導電層、第二導電層、第一晶粒、第二晶粒、第一盲孔柱與導電結構包覆于一介電材料內。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，還包括一第一貼附層與一第二貼附層， 該第一晶粒與該第二晶粒分別通過該第一貼附層與該第二貼附層而分別接置于該第一導電層的第一表面與第二表面。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，該第二晶粒的主動面還具有一感測區域，該介電材料對應于該感測區域的部分選擇性的具有一開口，以暴露出該感測區域。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，還包括多個第一層間柱，其設置于該第一導電層與該第二導電層之間，以傳遞該第一導電層與該第二導電層之間的信號。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，還包括多個導電柱，其設置于該第二導電層的第一表面，并且分別連接于多個對應的外部導電凸塊。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，這些外部導電凸塊分別具有延伸部分，這些延伸部分選擇性的置換這些導電柱。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，該導電結構包括多個第二層間柱、一第三導電層及多個第二盲孔柱而構成一重布層線路，以傳遞該第二晶粒的信號。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，該第三導電層位于該第一導電層與該第二晶粒的主動面的上方，這些第二層間柱設置于該第三導電層與該第一導電層之間，并且這些第二盲孔柱設置于該第三導電層與該第二晶粒的對應金屬襯墊之間。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的封裝結構，其特征在于，該導電結構包括多個導線，各導線的一端接合于該第一導電層的第二表面，并且其另一端接合于與該第二晶粒的對應金屬襯墊，以傳遞該第二晶粒的信號。