[發(fā)明專利]改善晶圓光刻膠顯影后殘留缺陷的方法

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• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109273353A
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設計）人: 龔華;李宇杰
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發(fā)明涉及一種改善晶圓光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，涉及半導體集成電路生產(chǎn)工藝，所述改善晶圓光刻膠顯影后殘留缺陷的方法包括：首先進行光刻顯影工藝；然后進行輕微刻蝕工藝，以改善光刻顯影工藝后形成的光刻膠殘留缺陷，且調(diào)整以使所述光刻顯影工藝的光刻關鍵尺寸為晶圓目標關鍵尺寸與所述輕微刻蝕工藝引起的晶圓關鍵尺寸的減小量之和，以在改善光刻膠顯影殘留缺陷的基礎上，不影響晶圓的關鍵尺寸(CD)。

技術領域

本發(fā)明涉及一種半導體集成電路生產(chǎn)工藝，尤其涉及一種改善晶圓光刻膠顯影后殘留缺陷的方法。

背景技術

在半導體集成電路生產(chǎn)工藝中，光刻刻蝕是常用步驟，其主要過程可參閱圖1，圖1為晶圓光刻刻蝕過程示意圖，如圖1所示，晶圓包括襯底100，襯底100上淀積有薄膜介質(zhì)層110，薄膜介質(zhì)層110上涂覆有一層光刻膠120。首先，通過光刻顯影工藝將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到待加工的晶圓上；然后，經(jīng)過刻蝕工藝將薄膜介質(zhì)層110中沒有被光刻膠120覆蓋和保護的部分去除，以完成將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上的目的。

然而，在光刻顯影工藝中，在部分區(qū)域(如比較大塊的需要顯影的地方)光刻會因為顯影能力不足，有少量光刻膠不能被完全去除。后續(xù)進行刻蝕工藝時，由于薄膜介質(zhì)層110上還有少量光刻膠所以不能與溶液充分接觸，導致殘留缺陷的產(chǎn)生，具體的可參閱圖2，圖2為現(xiàn)有技術中光刻顯影工藝后晶圓俯視圖，如圖2所示，在進行光刻顯影工藝后，部分區(qū)域的光刻膠不能完全被去除，而形成光刻膠殘留缺陷122，最終導致了薄膜介質(zhì)層的殘留缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種改善晶圓光刻膠顯影后殘留缺陷的方法，包括：首先進行光刻顯影工藝；然后進行輕微刻蝕工藝，以改善光刻顯影工藝后形成的光刻膠殘留缺陷，且調(diào)整以使所述光刻顯影工藝的光刻關鍵尺寸為晶圓目標關鍵尺寸與所述輕微刻蝕工藝引起的晶圓關鍵尺寸的減小量之和。

更進一步的，晶圓目標關鍵尺寸為F、輕微刻蝕工藝引起的晶圓關鍵尺寸減小量為B，則設定光刻顯影工藝的光刻關鍵尺寸A＝F+B，其中，晶圓目標關鍵尺寸F為實際生產(chǎn)工藝中晶圓關鍵尺寸的期望值。

更進一步的，輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T每增加1秒，晶圓關鍵尺寸減小則設定輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T＝(A-F)/f。

更進一步的，輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T每增加1秒，晶圓關鍵尺寸減小則設定輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T＝(A-F)/10。

更進一步的，輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T每增加1秒，晶圓關鍵尺寸減小則設定光刻顯影工藝的光刻關鍵尺寸A＝F+f*T。

更進一步的，輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T每增加1秒，晶圓關鍵尺寸減小則設定光刻顯影工藝的光刻關鍵尺寸A＝F+10T。

更進一步的，根據(jù)所述光刻顯影工藝后殘留的光刻膠的線寬設定所述輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T。

更進一步的，所述輕微刻蝕工藝的刻蝕時間T每增加1秒，晶圓關鍵尺寸減小則設定所述光刻顯影工藝的光刻關鍵尺寸A＝F+f*T。

更進一步的，所述輕微刻蝕工藝為低溫刻蝕。

更進一步的，所述輕微刻蝕工藝的溫度小于100℃。

本發(fā)明一實施例，通過在晶圓的光刻顯影工藝之后引入輕微刻蝕工藝，并預先調(diào)整光刻顯影工藝的光刻關鍵尺寸，以在改善光刻膠顯影殘留缺陷的基礎上，彌補引入輕微刻蝕工藝而導致的晶圓關鍵尺寸(CD)的減小量，而最終不影響晶圓的關鍵尺寸(CD)。

附圖說明

圖1為晶圓光刻刻蝕過程示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術中光刻顯影工藝后晶圓俯視圖。

圖3為本發(fā)明一實施例的改善晶圓光刻膠顯影殘留缺陷方法的流程圖。