[發(fā)明專利]一種基于雙向擴(kuò)晶法的微器件巨量轉(zhuǎn)移裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810991566.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109285802B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹周平;陳建魁;金一威 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L27/15 |
| 代理公司: | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人: | 張彩錦;曹葆青 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 雙向 擴(kuò)晶法 器件 巨量 轉(zhuǎn)移 裝置 方法 | ||
1.一種基于雙向擴(kuò)晶法的微器件巨量轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,包括微器件剝離轉(zhuǎn)移模塊(10)、X向擴(kuò)晶模塊(20)、過(guò)渡承接模塊(30)、Y向擴(kuò)晶模塊(40)、目標(biāo)基板承載模塊(50)、微器件補(bǔ)缺模塊(60)、固化模塊(70)、封裝模塊(80)和目標(biāo)基板搬運(yùn)模塊(90),其中:
所述微器件剝離轉(zhuǎn)移模塊(10)位于X向擴(kuò)晶模塊(20)的上方,其用于將微器件從晶元盤(14)上剝離;
所述X向擴(kuò)晶模塊(20)用于承接從晶元盤(14)上剝離的微器件,并將微器件沿晶元盤的X向擴(kuò)晶;
所述過(guò)渡承接模塊(30)位于X向擴(kuò)晶模塊(20)的右下方,用于承接從X向擴(kuò)晶模塊(20)剝離的微器件,并將微器件旋轉(zhuǎn)90度;
所述Y向擴(kuò)晶模塊(40)位于過(guò)渡承接模塊(30)的右上方,用于承接從過(guò)渡承接模塊(30)上剝離的微器件,并將微器件沿著Y向擴(kuò)晶;
所述目標(biāo)基板承載模塊(50)位于Y向擴(kuò)晶模塊(40)的右下方,用于接收微器件并將目標(biāo)基板(55)送入微器件補(bǔ)缺模塊(60)、固化模塊(70)與封裝模塊(80)中;
所述微器件補(bǔ)缺模塊(60)、固化模塊(70)、封裝模塊(80)與基板搬運(yùn)模塊(90)依次布置于目標(biāo)基板承載模塊(50)的右側(cè),所述微器件補(bǔ)缺模塊(60)用于實(shí)現(xiàn)目標(biāo)基板(55)上微器件的補(bǔ)缺,所述固化模塊(70)用于實(shí)現(xiàn)微器件與基板的連接,所述封裝模塊(80)用于對(duì)連接后的微器件與基板整體封裝一層保護(hù)層,所述基板搬運(yùn)模塊(90)用于實(shí)現(xiàn)目標(biāo)基板(55)的上下料。
2.如權(quán)利要求1所述的基于雙向擴(kuò)晶法的微器件巨量轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述微器件剝離轉(zhuǎn)移模塊(10)包括晶元自動(dòng)換盤單元(11)、晶元盤移動(dòng)單元(16)、晶元盤托盤(15)、轉(zhuǎn)移激光掃描單元(12)、轉(zhuǎn)移激光剝離單元(13)以及遍歷視覺(jué)單元(17),所述晶元自動(dòng)換盤單元(11)布置于晶元盤移動(dòng)單元(16)的后方,用于將晶元盤(14)裝入晶元盤移動(dòng)單元(16)上方的晶元盤托盤(15)上,所述轉(zhuǎn)移激光掃描單元(12)與轉(zhuǎn)移激光剝離單元(13)并列布置于晶元盤(14)的上方,分別用于弱化晶元盤上微器件與晶元盤的粘結(jié)強(qiáng)度以及將微器件從晶元盤上剝離,所述遍歷視覺(jué)單元(17)布置于晶元盤(14)的下方,用于檢測(cè)微器件的質(zhì)量并標(biāo)識(shí)不良微器件。
3.如權(quán)利要求2所述的基于雙向擴(kuò)晶法的微器件巨量轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述轉(zhuǎn)移激光掃描單元(12)包括第一轉(zhuǎn)移激光掃描單元(12a)、第二轉(zhuǎn)移激光掃描單元(12b)以及第三轉(zhuǎn)移激光掃描單元(12c);所述轉(zhuǎn)移激光剝離單元(13)包括第一轉(zhuǎn)移激光剝離單元(13a)、第二轉(zhuǎn)移激光剝離單元(13b)以及第三轉(zhuǎn)移激光剝離單元(13c);所述晶元盤(14)包括第一晶元盤(14a)、第二晶元盤(14b)以及第三晶元盤(14c);所述晶元盤托盤(15)包括第一晶元盤托盤(15a)、第二晶元盤托盤(15b)以及第三晶元盤托盤(15c);所述晶元盤移動(dòng)單元(16)包括第一晶元盤移動(dòng)單元(16a)、第二晶元盤移動(dòng)單元(16b)以及第三晶元盤移動(dòng)單元(16c);遍歷視覺(jué)單元(17)包括第一遍歷視覺(jué)單元(17a)、第二遍歷視覺(jué)單元(17b)以及第三遍歷視覺(jué)單元(17c);所述第一晶元盤(14a)上裝有第一類微器件(1401),所第二晶元盤(14b)上安裝有第二類微器件(1402),第三晶元盤(14c)上安裝有第三類微器件(1403);第一類微器件(1401)、第二類微器件(1402)以及第三類微器件(1403)為三種微器件,三種微器件同時(shí)轉(zhuǎn)移到初級(jí)載帶(24)上,每一類微器件均形成均勻間隔排布。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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