[發(fā)明專利]溫度傳感器制備方法及溫度傳感器

在審

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• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN110862063A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇佳樂;張新偉;周國平;夏長奉
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B1/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種溫度傳感器制備方法，其特征在于，包括：

在硅片上形成若干溝槽；

熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在所述空腔上方連接起來，將所述空腔封閉；

氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜；

在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述溝槽的寬度范圍為0.6μm～1μm，所述溝槽的深度范圍為1μm～10μm，所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為0.6μm～1μm。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火，所述熱退火的溫度為1000℃。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為：

在所述氧化硅薄膜上淀積一層第一金屬層，所述第一金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；

在所述金屬鉑層最外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為：

在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的N型多晶硅條和P型多晶硅條；

在所述多晶硅上淀積第三金屬層，所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的第一金屬結(jié)構(gòu)，所述N型多晶硅條和P型多晶硅條通過所述第一金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層最外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。

7.如權(quán)利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

在所述金屬層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。

8.一種溫度傳感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔；

和測溫單元，所述測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。

9.如權(quán)利要求8所述的溫度傳感器，其特征在于，所述測溫單元包括：

第一金屬層，所述第一金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；

和第二金屬層，位于所述金屬鉑層最外側(cè)兩端，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。

10.如權(quán)利要求8所述的溫度傳感器，其特征在于，所述測溫單元包括：

多晶硅層，包括并排且間隔設(shè)置的N型多晶硅條和P型多晶硅條；

和第三金屬層，所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的第一金屬結(jié)構(gòu)，所述N型多晶硅條和P型多晶硅條通過所述第一金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層最外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。